BZT52C16LPQ-7
BZT52C16LPQ-7参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 16V | 容差 | ±5.62% |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 40 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 11.2V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
BZT52C16LPQ-7手册
BZT52C16LPQ-7概述
BZT52C16LPQ-7 产品概述
BZT52C16LPQ-7 是一款高性能的稳压二极管，专为高可靠性电路中的电压钳制和电压稳定应用而设计。这款齐纳二极管由 DIODES (美台) 公司制造，采用最新的半导体技术，具有良好的温度稳定性和可靠性，适用于各种电子应用场景。
主要特点
标称齐纳电压：BZT52C16LPQ-7 的齐纳电压（Vz）为 16V，专门设计用于电压稳定及保护电路。其在工作状态下能够很好的维持输出电压，在一定范围内保证了电路的安全运行。
功率处理能力：该器件的最大功率可达 250mW，确保了其在多种工作条件下都能稳定运作，适用于需要高功率处理的应用场合。
阻抗特性：当器件处于稳定状态时，其最大阻抗 (Zzt) 为 40Ω，这使得该齐纳二极管能够在小信号下保持较高的引导电流稳定性。
反向泄漏电流：对于反向电压 11.2V，器件表现出极低的反向泄漏电流，仅为 100nA。这一特性在低功耗应用中尤为重要，可以有效降低能耗和发热。
正向电压特性：在 10mA 的正向电流下，器件的正向电压 (Vf) 为 900mV。这一特性使其在正向工作条件下具有良好的导通能力，确保了信号传输的有效性。
广泛的工作温度范围：BZT52C16LPQ-7 可以在 -65°C 至 150°C 的宽广温度范围内工作，非常适合在极端环境下工作的电子设备。
安装与封装：该器件采用表面贴装型（SMD）封装，尺寸为0402（1006 公制），非常适合需要高密度布板设计的现代电子产品。其封装形式 X1-DFN1006-2 提供了更好的散热性能和电气性能。
应用领域
BZT52C16LPQ-7 的应用范围非常广泛，包括但不限于：
- 电源管理：作为电源输入端口的过压保护器件，防止因电压过高对电路造成损害。
- 信号调节：在信号路径中提供稳定的偏置电压，确保设备在各种工作条件下信号的完整性。
- 消费电子产品：应用于各类便携式及桌面电子设备，通过稳定输出电压提升设备的可靠性和安全性。
- 工业控制：在工业领域中，用于各种控制系统及仪器中实现电压保护和调节。
结论
BZT52C16LPQ-7 齐纳二极管凭借其卓越的电气性能、宽温度范围和可靠的封装设计，适合在多种工业及消费类电子产品中应用。无论是高功率或是小型化的现代电子设备，该齐纳二极管都能在提供必要的电压保护同时，促进产品的安全性和稳定性。选择 BZT52C16LPQ-7，将为您的设计提供坚实而可靠的支持。