D8V0L1B2LP3-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

D8V0L1B2LP3-7

商品编码: BM0107672690
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X3-DFN0603-2
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
瞬态抑制二极管
库存 :
3440(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
0.27
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.27
--
500+
¥0.181
--
5000+
¥0.157
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

D8V0L1B2LP3-7参数

类型齐纳双向通道1
电压 - 反向断态(典型值)8V(最大)电压 - 击穿(最小值)8.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)16.5V电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)4A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲66W电源线路保护
应用通用不同频率时电容8.5pF @ 1MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳0201(0603 公制)供应商器件封装X3-DFN0603-2

D8V0L1B2LP3-7手册

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无数据

D8V0L1B2LP3-7概述

产品概述:D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管

一、概述

D8V0L1B2LP3-7 是一款由美台 (DIODES) 生产的瞬态抑制二极管(TVS二极管),旨在为电子设备提供有效的过压保护。作为一种齐纳二极管,该产品将低击穿电压与高速瞬态响应特性相结合,在各种电气环境中展现优异的抗干扰性能和潮流衰减能力。这款二极管特别适用于电源线路保护、数据线保护或其他对电压扰动敏感的电路设计中。

二、主要特性

  1. 电压特性

    • 反向断态电压(Vrwm):典型值为8V,最大值达8.0V,确保在正常工作状态下二极管不会导通。
    • 击穿电压(Vbr):最小值为8.5V,能够在瞬态条件下有效限制电压峰值,防止电路元件损坏。
    • 最大箝位电压(Vcl):在不同峰值电流(Ipp)下,电压最大可达16.5V。
  2. 电流和功率特性

    • 峰值脉冲电流(Ipp):10/1000µs 时间窗口下,电流可达4A,确保二极管在瞬态过载情况下能快速响应,并有效保护后续电路。
    • 峰值脉冲功率(Ppk):可承受最大66W的能量,具备出色的瞬态消耗能力,适应多种复杂电压波形。
  3. 频率响应

    • 在1MHz频率下,二极管表现出低至8.5pF的输入电容,有助于减小信号干扰和降低对信号通道的影响。
  4. 温度和封装

    • 工作温度范围为-65°C至150°C,适用于各种工作环境,确保在极端条件下的长期可靠性。
    • 表面贴装型(SMD),封装为 X3-DFN0603-2(0201公制),使得该元件适合现代紧凑型设计,提高了布线的灵活性和密度。

三、应用领域

D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管具有广泛的应用潜力,适用于多种电子电路领域:

  1. 消费电子:可用于手机、平板电脑等设备的充电接口,保护电路免受过压和瞬态电流冲击。
  2. 通信设备:在网络交换机、路由器等设备中用于端口保护,确保数据传输的可靠性。
  3. 工业控制:在自动化设备和工业传感器中,用于保护敏感元器件不受电磁干扰和电压冲击。
  4. 汽车电子:适合汽车领域中用于车载设备和传感器的过压保护,增强电路的稳定性。

四、总结

D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管凭借其优异的电压和电流特性,同时具备高温稳定性和出色的频率响应,使其成为电源和信号线路保护的理想选择。其小巧的封装设计适合现代电子产品的需求,为设计工程师提供了更大的灵活性和可靠性保障。随着电子设备对安全性和稳定性要求的不断升级,D8V0L1B2LP3-7 的应用前景十分广泛,尤其是在高科技设备日常使用和工业应用中,其重要性愈发显著。