类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 8V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 8.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 16.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 66W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 8.5pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
D8V0L1B2LP3-7 是一款由美台 (DIODES) 生产的瞬态抑制二极管(TVS二极管),旨在为电子设备提供有效的过压保护。作为一种齐纳二极管,该产品将低击穿电压与高速瞬态响应特性相结合,在各种电气环境中展现优异的抗干扰性能和潮流衰减能力。这款二极管特别适用于电源线路保护、数据线保护或其他对电压扰动敏感的电路设计中。
电压特性:
电流和功率特性:
频率响应:
温度和封装:
D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管具有广泛的应用潜力,适用于多种电子电路领域:
D8V0L1B2LP3-7 瞬态抑制二极管凭借其优异的电压和电流特性,同时具备高温稳定性和出色的频率响应,使其成为电源和信号线路保护的理想选择。其小巧的封装设计适合现代电子产品的需求,为设计工程师提供了更大的灵活性和可靠性保障。随着电子设备对安全性和稳定性要求的不断升级,D8V0L1B2LP3-7 的应用前景十分广泛,尤其是在高科技设备日常使用和工业应用中,其重要性愈发显著。