晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 310mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBTA56Q-13-F 产品概述
概述
MMBTA56Q-13-F 是一款高性能的PNP型双极晶体管,设计用于各种电子电路的开关和线性放大应用。其良好的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为消费电子、工业设备及通信设备等领域的理想选择。该三极管采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMD),便于集成在现代小型化电路设计中。
电气特性
MMBTA56Q-13-F 的主要电气特性包括:
动态特性
该三极管具有频率跃迁特性,能够达到50MHz,适合高速信号处理应用。这一特性使得MMMTA56Q-13-F在高频开关电源和RF应用中表现出色。
工作环境
MMBTA56Q-13-F 具备广泛的工作温度范围,能够在-55°C到150°C的极端环境中稳定工作。这一设计特性确保了在各种恶劣气候下的可靠性,特别适合航空航天、汽车电子等行业。
封装与安装
该晶体管采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在空间有限的小型电路板上进行布局。SOT-23封装也为其提供了良好的热管理性能,适合大规模生产。
应用领域
由于其显著的性能特征,MMBTA56Q-13-F广泛应用于多种电子产品和系统中,如:
总结
MMBTA56Q-13-F 作为一款性能卓越的PNP型晶体管,以其高电压、高电流、小饱和压降、宽温度范围及快速开关特性赢得了市场的青睐。其SOT-23封装设计使其易于集成于各种现代电子设备中。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,这款产品都展现出强大的应用潜力和可靠性,成为设计师和工程师的优选组件。选择MMBTA56Q-13-F,您将拥有一款可靠且高效的电子元器件,以满足您对高性能和高效率电路设计的需求。