MMBTA56Q-13-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTA56Q-13-F

商品编码: BM0107672679
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 310mW 80V 500mA PNP SOT-23
库存 :
9951(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.305
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.305
--
500+
¥0.203
--
5000+
¥0.177
--
10000+
¥0.158
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA56Q-13-F参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)80V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 100mA,1V
功率 - 最大值310mW频率 - 跃迁50MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23

MMBTA56Q-13-F手册

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MMBTA56Q-13-F概述

MMBTA56Q-13-F 产品概述

概述

MMBTA56Q-13-F 是一款高性能的PNP型双极晶体管,设计用于各种电子电路的开关和线性放大应用。其良好的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为消费电子、工业设备及通信设备等领域的理想选择。该三极管采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMD),便于集成在现代小型化电路设计中。

电气特性

MMBTA56Q-13-F 的主要电气特性包括:

  • 集电极最大电流 (Ic): 该晶体管能够承受最大500mA的集电极电流,适合在需要较大驱动能力的电路中使用。
  • 集射极击穿电压 (Vce(sus)): 该产品的最大集射极击穿电压可达80V,能够满足高电压应用需求。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在常见工作条件下,MMBTA56Q-13-F 的饱和压降在10mA和100mA电流下最大为250mV,确保了在开关时的高效能。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大截止电流为100nA,良好的性能降低了漏电流,提升了电路的效率。
  • 电流增益 (hFE): 在Ic为100mA且Vce为1V的情况下,最小电流增益为100,确保了其在放大器应用中的性能。

动态特性

该三极管具有频率跃迁特性,能够达到50MHz,适合高速信号处理应用。这一特性使得MMMTA56Q-13-F在高频开关电源和RF应用中表现出色。

工作环境

MMBTA56Q-13-F 具备广泛的工作温度范围,能够在-55°C到150°C的极端环境中稳定工作。这一设计特性确保了在各种恶劣气候下的可靠性,特别适合航空航天、汽车电子等行业。

封装与安装

该晶体管采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在空间有限的小型电路板上进行布局。SOT-23封装也为其提供了良好的热管理性能,适合大规模生产。

应用领域

由于其显著的性能特征,MMBTA56Q-13-F广泛应用于多种电子产品和系统中,如:

  • 开关电源: 能够在电源转化和控制中提供高效的开关工作能力。
  • 音频放大器: 该三极管优秀的电流增益使其适合用于音频信号的放大。
  • 通信设备: 在高频信号处理中表现优异,适合各类通信模块。
  • 传感器和控制电路: 适合用于各类传感器前置放大及控制电路。

总结

MMBTA56Q-13-F 作为一款性能卓越的PNP型晶体管,以其高电压、高电流、小饱和压降、宽温度范围及快速开关特性赢得了市场的青睐。其SOT-23封装设计使其易于集成于各种现代电子设备中。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中,这款产品都展现出强大的应用潜力和可靠性,成为设计师和工程师的优选组件。选择MMBTA56Q-13-F,您将拥有一款可靠且高效的电子元器件,以满足您对高性能和高效率电路设计的需求。