D3V3Q1B2LP3-7
D3V3Q1B2LP3-7参数
| 类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 3.8V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 7.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 30W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 6pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） | 供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
D3V3Q1B2LP3-7手册
D3V3Q1B2LP3-7概述
产品概述：D3V3Q1B2LP3-7 瞬态抑制二极管
概况
D3V3Q1B2LP3-7 是由DIODES（美台）公司制造的一款高性能瞬态抑制二极管，采用0201（0603 公制）封装，适合表面贴装应用。此器件专为电压瞬变抑制设计，可以有效保护敏感电子元件免受过电压和瞬态浪涌的损害，广泛应用于智能手机、平板电脑、以及其他便携式电子设备中。
主要参数与特性
双向通道设计： D3V3Q1B2LP3-7 具有单个双向通道，使其在保护电路时能够有效抑制正向与反向的电压瞬变。此特性使得该器件能够在各种应用环境下表现出色，尤其是在需要双极性保护的电路中。
电压性能：
- 反向断态电压（Vr）典型值为3.3V，最大值3.3V，适合3.3V电源线应用。
- 击穿电压 (VBR) 最小值为3.8V，确保在正常工作条件下不会达到击穿状态。
- 在不同 Ipp 下，最大电压 - 箝位为7.5V，为过电压提供了出色的抑制能力。
瞬态电流与功率处理能力： D3V3Q1B2LP3-7 能够承受10/1000µs脉冲电流高达4A，展现出良好的瞬态响应特性。同时，最大功率峰值为30W，这使得该器件能够应对各种瞬态浪涌并为连接的电子元件提供极佳的保护。
频率响应： 该器件的电容值为6pF（在1MHz时），意味着其在高频应用中具有较低的信号失真和相位滞后，能保持信号的完整性，适合高速数据传输场景。
可靠性与温度范围： D3V3Q1B2LP3-7 的工作温度范围为 -65°C 到 150°C，这确保了其在各种极端环境中均能稳定运行，适合航空航天、汽车及工业等高要求应用领域。
安装与封装： 采用表面贴装型设计，封装为 X3-DFN0603-2，这种小型封装可以有效节省电路板空间，适合现代小型化电子设备的设计需求。
应用领域
D3V3Q1B2LP3-7 适用于多种电子产品和领域，具体包括但不限于：
- 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等，对线路的安全性和稳定性要求高。
- 汽车电子：汽车辅助系统和娱乐系统需要耐高温、抗冲击的元件进行保护。
- 工业设备：在动力控制、数据采集系统中需要防护措施来应对此类瞬态电压。
- 通信设备：网络设备和通信基站对电源线路的稳定性有严格要求。
总结
D3V3Q1B2LP3-7 瞬态抑制二极管作为一种有效的电路保护解决方案，凭借其优越的电压性能、瞬态响应能力及温度适应性，在各种严苛的应用环境中均能表现出色。无论是在提升产品的可靠性，还是在延长电子元件的使用寿命方面，这款器件都展现了其不可忽视的价值。作为现代电子设计中重要的一环，D3V3Q1B2LP3-7 将是电气工程师在选择瞬态保护元件时的优秀选择。