STU5N95K3
STU5N95K3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
STU5N95K3手册
STU5N95K3概述
STU5N95K3 产品概述
概述
STU5N95K3 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，其具有卓越的电气特性和应用灵活性，专门设计用于高压场合和开关电源设计。该器件不仅满足工业标准的需求，同时也适应各种高温和恶劣环境，是电源管理、逆变器和功率传输系统中理想的选择。
基本参数
STU5N95K3 的关键技术参数如下：
- 漏源电压 (Vds)： 950V
- 连续漏极电流 (Id)： 4A（在极限工作条件下）
- 最大 Rds(on)： 3.5Ω @ 2A，10V
- 开启电压 (Vgs(th))： 最大值 5V @ 100µA
- 栅极电荷 (Qg)： 最大值 19nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)： 最大值 460pF @ 25V
- 功率耗散 (Pmax)： 90W（Tc）
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
- 封装类型： TO-251-3 (I-PAK)
性能特征
STU5N95K3 的设计具备高压和高效能的特点，使其在多种应用中都能够表现出色。高达 950V 的漏源电压能力使其能够在高电压环境下稳定工作，而 4A 的额定连续漏极电流则足以支持大多数高能耗应用场景。
该MOSFET的导通电阻 Rds(on) 为3.5Ω，这使其在导通状态下消耗的功率更低，提升整体效率。此外，Vgs 的最大值为±30V，体现了该器件在不同栅极驱动条件下的良好适应能力。
应用场景
STU5N95K3 的多种特性使其适合各种行业和领域的应用。以下是典型应用场景：
- 电源管理：作为开关电源中的开关元件，支持大功率转换，提高整体能效。
- 逆变器：在太阳能发电、UPS（不间断电源）系统中，用作逆变器的功率开关。
- 马达驱动：在电动机驱动系统中，能够有效控制电机的启停和速度。
- 高压设备：适用于高压电源或变频器等设备内部的开关操作。
可靠性与耐用性
STU5N95K3 的最大功率耗散能力为90W，这意味着该器件可以承载较高的功率而不会导致过热。此外，工作温度范围覆盖了 -55°C 到 150°C，这一广泛的工作温度范围为设备在极端环境下的应用提供了保障，使其在航空航天、汽车电子以及工业控制等领域的使用变得更加可靠。
封装设计
STU5N95K3 采用 TO-251-3 (I-PAK) 封装，具有短引线设计，适合通孔安装。这种封装不仅有助于散热，还可以简化电路设计，为PCB布局提供更多的灵活性和空间。
结论
总之，STU5N95K3 是一款高效，性能可靠的 N 通道MOSFET，集成了高耐压与良好的温度适应性，广泛应用于多种高压开关电源系统。无论是在电源转换还是在高电流应用中，它都能够为设计工程师提供极大的灵活性和可靠性，是当今电子设计领域的优选器件。