晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 260MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-723 |
供应商器件封装 | VMT3 |
DTD513ZMT2L 是一种适用于多种电子电路中的数字 NPN 预偏压晶体管,由知名品牌 ROHM(罗姆)制造。该器件采用SOT-723封装,具备紧凑的尺寸,更适合现代电子设备的小型化设计。该晶体管在多种应用中表现出色,尤其在信号放大和开关控制领域。
该数字晶体管实现了高效的电流控制,适用于多种数字电路,它的高增益特性可以降低对输入信号的要求,使得设计更加灵活。此外,它的 Vce 饱和压降相对较低,使得该组件在开关状态下,损耗更少的能量,提升了整体通信效率。
DTD513ZMT2L 广泛应用于开关电路、信号放大电路以及其他需要电流控制的电子设备。由于其较高的工作频率(260 MHz),该晶体管适合用于 RF 应用,如无线电发射和接收器中。它也非常适合用于用于数字电路中的电子开关和各种功率管理应用。
此外,由于其较小的封装和出色的性能,DTD513ZMT2L 被广泛用于消费电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域。
在设计电路时,用户应考虑基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 的配置,这对能力和性能至关重要。推荐使用1 kΩ 的基极电阻和 10 kΩ 的发射极电阻,这将在一定程度上提升电流控制的稳定性和线性。设计师需要确保输入信号能够在晶体管的适用范围内,以保证其良好的工作状态。
DTD513ZMT2L 采用 SOT-723 封装,具有良好的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMT)应用,可以有效缩小电路板占用空间,便于实现紧凑型设计。这种封装的设计也使得该产品在高密度电路中具有较强的兼容性。
总之,DTD513ZMT2L 数字晶体管是一款高效的 NPN 预偏压晶体管,其高增益、低饱和压降、高工作频率和适合表面贴装的封装,满足了现代电子领域对性能和尺寸的严格要求。它在信号放大、开关控制及其他多个应用场景中表现出色,是电子工程师和设计师的理想选择。无论是消费电子产品,还是工业和汽车应用,选择 DTD513ZMT2L 都能为设计带来极大的便捷与效率。