DTD513ZMT2L 产品实物图片
DTD513ZMT2L 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTD513ZMT2L

商品编码: BM0107672635
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 12V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.367
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.367
--
500+
¥0.244
--
4000+
¥0.212
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTD513ZMT2L参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)12V电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)140 @ 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,100mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁260MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-723
供应商器件封装VMT3

DTD513ZMT2L手册

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DTD513ZMT2L概述

产品概述:DTD513ZMT2L 数字晶体管

1. 产品简介

DTD513ZMT2L 是一种适用于多种电子电路中的数字 NPN 预偏压晶体管,由知名品牌 ROHM(罗姆)制造。该器件采用SOT-723封装,具备紧凑的尺寸,更适合现代电子设备的小型化设计。该晶体管在多种应用中表现出色,尤其在信号放大和开关控制领域。

2. 基本参数

  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic):500 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):12 V
  • 最小 DC 电流增益 (hFE):在 100 mA 和 2 V 条件下,hFE 最小为 140。
  • 最大基极电流 (Ib),集电极电流 (Ic) 时的 Vce 饱和压降:最大 300 mV (在 5 mA 和 100 mA 下)。
  • 最大集电极截止电流:500 nA
  • 工作频率:最高跃迁频率为 260 MHz
  • 最大功率:150 mW

3. 功能特性

该数字晶体管实现了高效的电流控制,适用于多种数字电路,它的高增益特性可以降低对输入信号的要求,使得设计更加灵活。此外,它的 Vce 饱和压降相对较低,使得该组件在开关状态下,损耗更少的能量,提升了整体通信效率。

4. 电路应用

DTD513ZMT2L 广泛应用于开关电路、信号放大电路以及其他需要电流控制的电子设备。由于其较高的工作频率(260 MHz),该晶体管适合用于 RF 应用,如无线电发射和接收器中。它也非常适合用于用于数字电路中的电子开关和各种功率管理应用。

此外,由于其较小的封装和出色的性能,DTD513ZMT2L 被广泛用于消费电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域。

5. 设计考虑

在设计电路时,用户应考虑基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 的配置,这对能力和性能至关重要。推荐使用1 kΩ 的基极电阻和 10 kΩ 的发射极电阻,这将在一定程度上提升电流控制的稳定性和线性。设计师需要确保输入信号能够在晶体管的适用范围内,以保证其良好的工作状态。

6. 封装与安装

DTD513ZMT2L 采用 SOT-723 封装,具有良好的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMT)应用,可以有效缩小电路板占用空间,便于实现紧凑型设计。这种封装的设计也使得该产品在高密度电路中具有较强的兼容性。

7. 结论

总之,DTD513ZMT2L 数字晶体管是一款高效的 NPN 预偏压晶体管,其高增益、低饱和压降、高工作频率和适合表面贴装的封装,满足了现代电子领域对性能和尺寸的严格要求。它在信号放大、开关控制及其他多个应用场景中表现出色,是电子工程师和设计师的理想选择。无论是消费电子产品,还是工业和汽车应用,选择 DTD513ZMT2L 都能为设计带来极大的便捷与效率。