DTA143XMT2L
DTA143XMT2L参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-723 |
| 供应商器件封装 | VMT3 |
DTA143XMT2L手册
DTA143XMT2L概述
DTA143XMT2L 产品概述
DTA143XMT2L 是由知名电子元器件制造商 ROHM（罗姆）推出的一款高性能数字晶体管，采用 SOT-723 封装。该元器件具备优秀的电气特性和高度的可靠性，特别设计用于低功耗、高效率的应用场合。它特别适合各种数字和模拟电路，能够满足现代电子设备对精度和性能的严格要求。
关键规格
晶体管类型: DTA143XMT2L 是一款 PNP型数字晶体管。这种类型的晶体管在开关电路中尤为常用，具体应用范围包括开关电源、信号放大和开关控制等。
电流与电压参数:
- 集电极电流（Ic）: 该器件的最大集电极电流可达 100mA，适用于需要中等电流输出的电路。
- 集射极击穿电压（Vce）: 最大击穿电压为 50V，保证在较高电压环境下的操作安全性，适用于多种电源设计。
增益与饱和特性:
- DC电流增益（hFE）: 在 5V 和 10mA 时，DTA143XMT2L 的最小 DC 电流增益 (hFE) 为 30。这一特性使得该晶体管在低输入电流条件下仍能输出较大的输出电流，提升了电路的总体效率。
- Vce饱和压降: 在 10mA 和 500µA 条件下，最大饱和压降仅为 300mV。这一低饱和压降特性表明 DTA143XMT2L 能在高效能要求下有效运行，减少功耗。
电流截止特性: 最大集电极截止电流为 500nA，显示出良好的关断特性，适用于需要低泄漏电流的应用场景。
工作频率: DTA143XMT2L 的跃迁频率高达 250MHz，能够满足高速开关及信号处理应用的需求，使其在射频（RF）和数字信号处理系统中表现出色。
功耗与散热: 这款晶体管的最大功率为 150mW，适用于小型化电路设计，同时其低功耗特性使其适合移动设备及电池驱动的应用。
封装和应用
DTA143XMT2L 采用 VMT3（SOT-723）封装，具有小巧的体积和优化的布局设计，非常适合现代电子设备中对节省空间的需求。其表面贴装型的设计使得其在自动化生产中容易部署，提高了生产效率。
应用场景
DTA143XMT2L 的设计使其适用于广泛的应用领域，主要包括：
移动设备: 由于其小型化的封装和低功耗特性，DTA143XMT2L 是实现智能手机、平板电脑及其他便携式设备的开关控制的理想选择。
电源管理: 在开关电源和电池管理系统中，DTA143XMT2L 可作为高效的开关元件，提高功率转换效率并延长电池寿命。
信号处理: 在高速信号处理应用中，其250MHz的跃迁频率能够支持各种RF调制解调器和射频放大器的功能。
结论
总之，DTA143XMT2L 是一款具有高性价比、广泛应用前景的 PNP 数字晶体管，其卓越的电气特性和小巧的封装设计使其成为现代电子设备设计中的重要选择。无论是电池驱动设备、信号处理还是电源管理，DTA143XMT2L 都能够提供稳定、高效的解决方案。ROHM 作为行业领先的元器件供应商，凭借其在质量和技术创新上的持续努力，确保了 DTA143XMT2L 在实际应用中的出色表现。