晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 310mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBTA05Q-13-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 NPN 型三极管(BJT),其特性优良且适用范围广泛,主要用于现代电子电路中的信号放大和开关应用。该器件以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于多个行业,包括通讯、消费电子、自动化和工业控制等领域。
MMBTA05Q-13-F 采用 SOT-23 封装,尺寸小巧,适合表面贴装(SMD)应用。此封装形式使得器件在现代高密度电路板设计中更具灵活性,便于布线和组装。
MMBTA05Q-13-F 通常用于以下几种应用:
在电子设计中,使用 MMBTA05Q-13-F 的时候,需要确保工作条件满足其最大额定参数,以避免器件过热或失效。此外,应根据具体的电路需求合理选择偏置电阻,以实现最佳的增益和线性响应。
MMBTA05Q-13-F 是一款高性能的 NPN 三极管,凭借其出色的电气特性和结构设计,成为电子工程师在设计与开发各种电路时的重要选择。其在广泛的工作温度范围内呈现出良好的可靠性和稳定性,使其在严苛环境中的表现同样出色。选择 MMBTA05Q-13-F,不仅可以满足项目对性能的高要求,也能提升整体电路设计的效率和可靠性。