注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP21D6UFD-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1DFN12123
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 400mW 20V 600mA 1个P沟道 X1-DFN1212-3
库存 :
844(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.383按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.383
--
200+
￥0.247
--
1500+
￥0.215
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP21D6UFD-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.8nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46.1pF @ 10V |
DMP21D6UFD-7手册
无数据
DMP21D6UFD-7概述
DMP21D6UFD-7 产品概述
1. 产品简介
DMP21D6UFD-7 是 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 P 沟道 MOSFET（场效应管），专为多种应用场景而设计。该器件具有紧凑的 3-UDFN 封装（X1-DFN1212-3），适用于表面贴装安装，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源和其他需要高效率和可靠性的电路中。
2. 关键特性
- 类型: P沟道 MOSFET
- 额定电流: 25°C 时可持续漏极电流为 600mA，适合中小功率应用。
- 漏源电压 (Vdss): 工作电压可达 20V，能够处理一般低压电路中的开关和线性工作。
- 导通电阻: 在 Vgs 为 4.5V 和 Id 为 100mA 时，最大导通电阻为 1 欧姆，能够实现低功耗 operation，减少能量损耗。
- 栅源最大电压 (Vgs): 最多可承受±8V 的栅极电压，提高了电路的灵活性。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 400mW，使其在多种环境下可靠工作。
- 工作温度范围: 它的工作温度从 -55°C 到 150°C，适用于严酷的工业和汽车环境。
3. 电气特性
DMP21D6UFD-7 的电气特性使其在实际应用过程中具备高效能和稳定性。例如，电流 - 连续漏极 (Id) 的额定值为 600mA，搭配适当的散热措施，使得该器件在长时间的使用中不会出现过热现象。同时，其导通电阻的设计，保证了在高负荷下依然能够低损耗运行。
在栅极电荷 (Qg) 的特性方面，DMP21D6UFD-7 于 8V 的栅源电压下，最大栅极电荷为 0.8nC，使其在快速开关操作中表现出优异的性能，适合高频率操作的电路设计。
4. 封装及安装
该模型采用了 3-UDFN 封装，尺寸小巧，适合空间受限的应用。表面贴装技术（SMD）也使得它在自动化生产中更容易被集成进电路中。该封装不仅提供了较好的电气性能，同时也优化了散热特性，确保器件在高负荷工作时的稳定性。
5. 应用领域
由于其卓越的性能，DMP21D6UFD-7 产品广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 适用于AC/DC和DC/DC转换电源。
- 开关电源: 在开关电源中，能够有效控制能量的流动，提高能源的使用效率。
- 汽车电子: 适合汽车电子系统中需要高功率和高温环境的场合。
- 工业控制: 由于其能承受恶劣环境和高温，适合工业自动化系统中的控制电路。
6. 结论
总体而言，DMP21D6UFD-7 是一款性能优越、应用广泛的 P沟道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围，成为电源管理及开关电路中不可或缺的重要元件。其紧凑的封装设计使其能够满足现代电子设备对空间和性能的双重要求，是设计师在选择功率开关器件时的理想选择。