类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 4.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 10V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 12A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 120W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 70pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0201(0603 公制) | 供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
D3V3M1U2LP3-7是一款由美台半导体公司(DIODES)生产的高性能静电放电(ESD)保护器件,适用于各种电子应用。该器件采用X3-DFN0603-2封装,体积小巧,适合于表面贴装技术(SMT)。其主要设计目标是保护敏感的电子组件免受电压尖峰及静电放电的影响,从而提高设备的可靠性和稳定性。
电气特性:
高峰值脉冲能力:
高频特性:
工作温度范围:
D3V3M1U2LP3-7的设计使其能够广泛应用于各种电子设备,特别是在对静电放电及短暂电压浪涌敏感的领域。它非常适合于:
D3V3M1U2LP3-7采用的是0201(0603公制)的表面贴装型封装,使其适合于高密度电路板设计。小型封装不仅减少了电路板的整体尺寸,同时也提高了散热能力。
D3V3M1U2LP3-7作为一款高性能的静电和浪涌保护二极管,结合了优异的电气性能和宽广的应用范围,适用于各种对保护需求较高的电子产品。在日益数字化和自动化的今天,选择D3V3M1U2LP3-7型号的保护器件,将会为您的应用方案提供强有力的安全保障,并提升产品的市场竞争力。无论是在消费电子、工业应用还是汽车系统中,D3V3M1U2LP3-7都是提升设备可靠性的理想选择。