功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 27mΩ@4.5V,6.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.9nC |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 485pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 4.9A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
DMN2025U-7 是由著名半导体制造公司 DIODES(美台)生产的一款绝缘栅场效应管(MOSFET)。该MOSFET采用SOT23封装,适用于多种电子应用。MOSFET作为一种重要的电子元器件,广泛应用于电源管理、开关电路和信号放大等领域,其高效率和低功耗的特性使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。
封装类型: SOT23
低导通电阻 (RDS(on)): DMN2025U-7 在低栅源电压下具有非常低的导通电阻,确保在导通状态时的功耗降低,以及热效应减小,从而提高了整体电路的效率。
卓越的输出特性: 本产品支持较大的电流输出,具备良好的热管理能力,适用于各种电源供给场合。
快速开关能力: DMN2025U-7 提供快速的开关响应,适用于高频开关电源和其它要求快速切换的应用。
高耐压: 该MOSFET具有良好的耐压性能,使其在各种电气环境下运作可靠。
DMN2025U-7可广泛应用于以下领域:
电源管理: 适用于直流-直流转换器(DC-DC Converter),高效转换输入电源电压至所需的输出电压,满足各类电子设备的供电需求。
开关电源: 在开关电源中作为开关元件,确保整个电源系统的高效率和稳定性。
马达驱动: 可用于控制小型直流电机或步进电机的驱动,提供精确的速度和转矩控制。
LED驱动: 在LED照明应用中,DMN2025U-7能够有效地控制电流,提高LED的工作效率及使用寿命。
信号放大: 在模拟信号处理电路中,作为放大器或开关,保证信号处理的线性和高效。
DMN2025U-7 的低功耗和高效率使其成为众多竞争产品中的亮点。随着电子设备对能效的要求越来越高,使用该MOSFET可以显著提高设备整体性能并降低能耗。此外,DIODES作为知名品牌,其产品在市场上享有良好的声誉,用户可对其性能及品质充满信心。
DMN2025U-7 绝缘栅场效应管(MOSFET)凭借其优秀的电气性能、小型化的SOT23封装以及广泛的应用范围,成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。无论是在电源管理、马达驱动、LED照明还是信号处理等领域,DMN2025U-7都能提供高效、可靠的解决方案。在选择合适的MOSFET时,DMN2025U-7无疑是一个值得考虑的优质选项。