DSS5220V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS5220V-7

商品编码: BM0107672562
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 20V 2A PNP SOT-563
库存 :
2950(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
200+
¥0.338
--
1500+
¥0.294
--
3000+
¥0.26
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS5220V-7参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2A
电压 - 集射极击穿(最大值)20V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)390mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)155 @ 1A,2V
功率 - 最大值600mW频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

DSS5220V-7手册

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DSS5220V-7概述

DSS5220V-7 产品概述

DSS5220V-7 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能PNP型双极结晶体管(BJT)。该器件以其卓越的电流和电压特性,广泛应用于各种电子电路中,如信号放大、开关电源以及其他信号处理应用。作为一款表面贴装型(SMD)元件,DSS5220V-7 采用了紧凑的 SOT-563 封装,适合于空间受限的电路设计。

主要参数

  1. 晶体管类型: PNP
  2. 集电极最大电流 (Ic): 2A
  3. 集射极最大击穿电压 (Vceo): 20V
  4. 饱和压降 (Vce(sat)): 390mV (在200mA与2A的Ic条件下)
  5. 集电极截止电流 (Ic(off)): 100nA
  6. 直流电流增益 (hFE): 最小值为155(在1A与2V的条件下)
  7. 最大功率耗散: 600mW
  8. 频率特性: 最大跃迁频率为150MHz
  9. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  10. 封装类型: SOT-563 / SOT-666

应用领域

DSS5220V-7 的设计使其非常适合用于各种高效能的开关电路和信号调节应用。以下是一些典型的应用领域:

  • 功率放大器:DSS5220V-7 的高电流及高增益特性使其非常适合用于音频功率放大器以及其他要求较高的电流驱动电路。
  • 开关控制:其快速的开关特性(跃迁频率高达150MHz)使其成为理想的开关控制器,能够支持高频和高效的开关操作。
  • 低功耗设备:在对电源效率有高要求的设备中,该器件的低饱和压降和极小的截止电流(100nA)使其能够降低功耗,提高设备的整体能效。

设计优势

DSS5220V-7 在设计中考虑了多重因素,提供了多项优势:

  • 紧凑尺寸:采用 SOT-563 封装,极小的尺寸便于在空间有限的电路板上进行布置,满足现代电子装置对小型化的要求。
  • 高热稳定性:该器件的工作温度范围宽,可在-55°C至150°C的极端条件下稳定工作,适合各种环境下的应用,尤其是航空航天及工业设备。
  • 优异的电流传导能力:其最大集电极电流高达2A,能够在高负载下安全可靠地工作,适合需要高电流输出的应用。

性能评估

为确保 DSS5220V-7 的最佳性能,设计者应在实际电路中注意饱和压降、直流电流增益及最大功率限制等参数。在应用此器件时,需适当选择基极电流(Ib)以获得理想的集电极电流(Ic),并保证功耗不超过600mW,从而延长器件的工作寿命。

结论

总之,DSS5220V-7 是一款功能强大且灵活的PNP型晶体管,具备高电流驱动能力和温度适应性,适合多种电子应用。其优越的电气特性与紧凑的封装设计,使其成为现代电子产品设计中的理想选择。如果您正在寻找一款高性能的PNP晶体管,DSS5220V-7 无疑是一种值得考虑的选择。