类型 | 齐纳 | 单向通道 | 4 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 5.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 3V(标准) | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3.5A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 20W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | USB | 不同频率时电容 | 0.45pF @ 1MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 10-UFDFN | 供应商器件封装 | U-DFN2510-10 |
D5V0FS4U10LP-7是由美台半导体(DIODES)推出的一款瞬态抑制二极管。该元件专为电力电子设备的过电压保护而设计,具有优异的性能,能够有效保护敏感设备免受瞬时电压尖峰的损害。其主要应用于USB接口设备及其他需要稳压保护的电路中,能够确保设备在高频和瞬态条件下的稳定运行。
D5V0FS4U10LP-7是一款齐纳类型的瞬态抑制二极管,其独特的设计保证了其在多种条件下的高可靠性。以下是该产品的一些重要参数:
D5V0FS4U10LP-7广泛应用于各种电子产品及设备中,特别是在以下领域:
D5V0FS4U10LP-7的主要竞争优势在于其强大的峰值电流承受能力、高效的瞬态抑制性能及优良的温度适应性。此外,D5V0FS4U10LP-7的超小型封装设计在满足高性能要求的同时,极大地减少了电路板的空间占用,为高密度电路设计提供了有力支持。
D5V0FS4U10LP-7瞬态抑制二极管凭借其全面的电气特性和优异的环境适应性,成为了现代电子设备中不可或缺的保护元件。无论是高频信号的安稳传输,还是大电流情况下的防护需求,该产品均能提供高效、可靠的解决方案。随着电子设备的不断发展和对可靠性的日益关注,D5V0FS4U10LP-7的市场需求将进一步增长。对于追求性能和安全的设计工程师来说,这是一个值得信赖的选择。