2DC4617S-7-F
2DC4617S-7-F参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 270 @ 1mA，6V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 180MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
2DC4617S-7-F手册
2DC4617S-7-F概述
产品概述：2DC4617S-7-F NPN晶体管
简介
2DC4617S-7-F 是由DIODES（美台）公司出品的一款高性能NPN晶体管，采用表面贴装技术（SMD）封装，封装类型为SOT-523。该器件设计用于低功耗、低电流应用，具备优越的热稳定性和频率响应，非常适合用于开关电路、信号放大及各种线性应用领域。
基本参数
该晶体管的主要参数如下：
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 150mA
- 集射极击穿电压 (Vceo): 50V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 400mV @ 5mA 和 50mA
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大 100nA
- 直流电流增益 (hFE): 最小 270 @ 1mA, 6V
- 最大功率: 150mW
- 频率跃迁: 180MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装: SOT-523
性能特征
高电流增益: 2DC4617S-7-F 的直流电流增益 (hFE) 高达270，这使其在小信号放大时具有出色的性能。此特性特别适合低电压、低功耗应用，如消费者电子产品中的信号放大和开关控制。
低饱和压降: 在5mA及50mA的工作条件下，饱和压降仅为400mV，这意味着该晶体管具有较高的效率和较低的功耗，适合用于节能设计。
宽电压和电流范围: 最大集电极电流为150mA，最大击穿电压为50V，使得该器件能够在较宽的工作条件下稳定工作。这使得它适用于多个应用场景，如电源开关、继电器驱动等。
高频率响应: 频率跃迁达到180MHz，适用于高速开关及RF（射频）应用，能够支持高速信号处理和数据传输的需求。
出色的热稳定性: 具备高达150°C 的工作温度范围，2DC4617S-7-F 能够在极端环境下运行，这对于高温环境中使用的电子产品尤为重要，例如汽车电子和工业控制设备。
应用领域
2DC4617S-7-F广泛应用于以下领域：
- 消费电子: 适用于手机、平板电脑、音响设备等。
- 汽车电子: 用于传感器信号处理、电池管理系统及动力系统中的开关电路。
- 工业控制: 在自动化控制、机器人技术中作为信号放大器或开关。
- 通信设备: 在射频前端、调制解调器中应用，提供高效信号处理。
总结
2DC4617S-7-F是一款性能卓越的NPN晶体管，结合了高电流增益、低饱和压降和广泛的工作温度范围，适用于各种现代电子应用。凭借其在高频和高温环境下的稳定性，该器件不仅能满足当前电子产品对高效能和低功耗的要求，还具有良好的适应性和可靠性，为设计工程师提供了一个理想的选择。无论是在消费电子、汽车电子，还是在工业控制等领域，2DC4617S-7-F都将表现出色，为系统的整体性能提升做出积极贡献。