晶体管类型 | NPN - 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 100µA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10000 @ 100mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 125MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMSTA13-7-F 是一种高性能 NPN 达林顿晶体管,专为各种电子应用而设计,具备卓越的电流放大能力和紧凑封装特性。这款器件采用了 SOT-323 表面贴装封装,广泛应用于便携式电子设备、消费电子产品及自动化设备等场景,适合在空间受限的环境中使用。
晶体管类型:采用 NPN 达林顿配置,这种结构使得 MMSTA13-7-F 能够实现极高的电流增益。在实际应用中,达林顿对电流的高增益特性,能够显著提高开关速度和效率,使其成为驱动负载(如电机、继电器)时的理想选择。
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA。该参数表明 MMSTA13-7-F 能够承受最高 300mA 的集电极电流,适合用于中等功率负载的控制。
电压 - 集射极击穿(最大值):30V。抗击穿能力使得此器件在较高电压条件下仍能正常工作,适合多种电源场景。
饱和压降(最大值):在 Ic 为 100µA 和 100mA 时,饱和压降 Vce 最大值为 1.5V。这一点对功率损耗的管理尤为重要,使得该器件在高负载下依然保持较低的功率损耗。
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)。该器件的漏电流极低,适合用于高精度应用和低功耗设计。
DC电流增益 (hFE):此器件在 Ic 为 100mA 和 Vce 为 5V 时,具备最小 10000 的电流增益,证明了它在放大信号时的高效能。
功率 - 最大值:最大功率为 200mW,表明其在集电极电流下的散热能力且与热管理密切相关。
频率 - 跃迁:达到 125MHz,表示该器件能够在高频率信号下稳定工作,适合用于 RF 应用。
工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)。广泛的工作温度范围确保 MMSTA13-7-F 能够在极端环境下正常运行,非常适合进军汽车电子和工业控制领域。
安装类型:采用表面贴装型(SMT)设计,使其易于在现代电路板上进行自动化生产,保持了高度的组装效率和密度。
由于其强大的性能和广泛的适用性,MMSTA13-7-F 可广泛应用于以下几个领域:
消费电子:可用于音频放大器、电视机、游戏机等设备,提供强而有力的信号放大和稳定性。
汽车电子:可用于汽车灯光控制、传感器驱动和电机控制等应用,在高温和高电压环境下依然可靠。
工业自动化:在智能家居、机器人和自动化设备中,MMSTA13-7-F 可用作信号放大器和开关元件,助力智能控制系统的实现。
RF 应用:其高频特性使其适合无线电频率的应用,如无线通信和数据传输设备。
MMSTA13-7-F 是一款兼具强大性能和可靠性的 NPN 达林顿晶体管,以其极高的 DC 电流增益、宽频带和优良的功率管理特点,成为各种电子电路设计的理想选择。无论是在消费电子、汽车应用还是工业控制领域,其卓越的性能都将为每一种应用提供安全、稳定的解决方案。借助 DIODES(美台) 的优质工艺和可靠性,MMSTA13-7-F 定将为您的设计提供强有力的支持。