STO36N60M6

STO36N60M6 产品概述

产品简介

STO36N60M6是一款高性能的N沟道MOSFET场效应管，适用于先进电源管理和开关应用。这款器件属于意法半导体（STMicroelectronics）旗下，采用了金属氧化物场效应管（MOSFET）技术，具备高效率和高性能特点，具有600V的漏源电压和30A的最大连续漏极电流，从而为各种高压电力转换和控制应用提供了强大的支持。

基本参数

• 类型：N沟道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 最大连续漏极电流（Id @ 25°C）：30A
• 驱动电压：10V（用于最小Rds On）
• 导通电阻（Rds(on)）：99毫欧 @ 10V, 15A
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4.75V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大值为44.3nC @ 10V
• 最大Vgs：±25V
• 输入电容（Ciss）：最大值为1960pF @ 100V
• 最大功率耗散：230W
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C （TJ）
• 封装类型：表面贴装型（TO-LL-8）

结构特点

STO36N60M6采用的是TOLL（TO-LL-8）封装，这种设计不仅提高了器件的散热性能，同时也使其在PCB设计中更加灵活，便于密集型布线的场合。其紧凑的外形和较高的功率密度使得该MOSFET特别适合高功率应用，如DC-DC转换器、逆变器以及电动汽车驱动系统等。

关键优点

• 高效率：最大Rds(on)为99毫欧，在15A和10V的工作条件下表现出色，显著减少了在器件导通时的功率损耗，从而提升了整体系统的效率。
• 高可靠性：工作温度范围广泛（-55°C至150°C），适应各种严苛环境，确保了在极端条件下的长期稳定工作。
• 强大的电流处理能力：30A的最大连续漏极电流能力使得STO36N60M6能够处理较高的电流，无需额外并联多个器件，从而简化设计。
• 灵活的驱动条件：10V的驱动电压使得该器件可以与许多控制电路兼容，且±25V的最大栅极电压为工程师提供了更大的设计自由度。

应用领域

由于其出色的电气特性，STO36N60M6在广泛的应用领域中表现优越。包括但不限于：

• 电源转换：适合用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用。
• 工业控制：其高压特性使得该MOSFET能够轻松用于工业自动化设备和控制系统。
• 电动汽车：可为电动汽车的动力逆变器供电，提升电动汽车的驱动功率与效率。
• 消费电子：还可以用于各种消费电子产品的电源模块，提供高效的功率转换和管理。

总结

STO36N60M6 N沟道MOSFET是一款具高压、高功率和高效率特点的现代电源管理组件，为电子设计师在各种应用中提供了可靠的解决方案。通过合理的电路设计和良好的散热方案，该器件能够有效提升电子系统的整体性能。无论是在消费电子、工业控制或电动车辆等领域，STO36N60M6无疑是高效能设计的理想选择。