2SD1949T106R
2SD1949T106R参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 15mA，150mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 10mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | UMT3 |
2SD1949T106R手册
2SD1949T106R概述
2SD1949T106R 产品概述
产品简介
2SD1949T106R是一款NPN型晶体管，具有出色的电气性能和广泛的应用领域。此款三极管由知名电子元件制造商ROHM（罗姆）生产，采用表面贴装（SMD）封装技术，具体封装类型为UMT3（SC-70/SOT-323），方便于现代电子设备的集成和省空间的设计。该器件设计用于高效的信号放大和开关应用，能够承受高达500mA的集电极电流和50V的集射极击穿电压，适用于多种工业和消费电子产品。
技术参数
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 500mA
- 最大集射极击穿电压 (Vceo): 50V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 400mV @ 15mA, 150mA
- 集电极截流电流 (ICBO): 500nA
- 直流电流增益 (hFE): 最小180 @ 10mA, 3V
- 最大功率 (Pmax): 200mW
- 频率 - 跃迁 (fT): 250MHz
- 工作温度: 150°C (TJ)
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SC-70, SOT-323
- 供应商器件封装: UMT3
应用领域
2SD1949T106R可以广泛应用于各种电子电路中，其主要应用领域包括：
信号放大器：能够处理高频信号，对于需要快速响应的音频和视频信号处理尤为重要。
开关电路：此三极管的快速开关特性使其适合于电源管理与控制电路。
无线通信：由于其较高的跃迁频率（250MHz），能够适用于无线数据传输和射频应用。
小型电子设备：该器件的小型封装（UMT3）设计使其易于集成于紧凑型手机、传感器、家用电器等各种便携式设备中。
性能优势
高增益和低功耗：2SD1949T106R具有出色的增强能力，能够在低输入电流的情况下提供高集电极电流，实现有效的信号放大。
高耐压及强电流处理能力：该器件承受高压和高电流能力，使其能够在较为恶劣的工作环境中稳定运行。
低饱和压降：在15mA和150mA电流下的低饱和压降（400mV）意味着在开关应用中能够减少功耗，提高效率。
广泛的频率响应：250MHz的跃迁频率使其可以在较高频率下有效工作，特别适用于高频开关和放大应用。
安装和使用注意事项
在使用2SD1949T106R时，建议遵循以下安装和使用指南：
适当散热：虽然该晶体管设计功率为200mW，但在高负载下必须评估散热，以防止器件过热损坏。
避免过电流和过电压：在电路设计过程中，确保不超过器件的电流和电压额定值，以避免不可逆损坏。
PCB设计：在PCB设计时，应确保合适的焊接和连接，避免在装焊过程中对器件本身造成物理损伤。
功能测试：在实际应用中，建议进行功能测试以验证其性能。
总结
2SD1949T106R是一款高效率、高性能的NPN晶体管，适合多种现代电子应用。其优秀的电气特性使其在信号放大、开关电路及无线通信等领域表现出色，是设计师在设计电子设备时的理想选择。ROHM凭借其先进的制造工艺及严苛的质量控制，确保每一款2SD1949T106R都能在各种严苛的工作条件下稳定运行，为各种终端产品提供可靠支持。