FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 480pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK(TO-251) |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
产品概述:IRLU024NPBF N通道MOSFET
一、基本介绍
IRLU024NPBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件是在以高效能和高度可靠性为目标而设计,适合广泛的应用场景,包括电源管理、马达驱动、开关电源等。以其优异的电气参数和坚固的封装,IRLU024NPBF为现代电子设备提供了强有力的支持。
二、关键规格
电气特性
门极特性
电容特性
物理特性与封装
三、应用领域
IRLU024NPBF的广泛应用领域包括但不限于:
四、竞品分析与市场定位
作为市场上各类MOSFET中的佼佼者,IRLU024NPBF的主要优势在于其优异的性能参数和高宽的工作范围。与竞争产品相比,它在导通电阻、门极电压、以及功率处理能力等方面提供了更为卓越的表现。产品的可靠性及适用性,使得其在工程师的设计中频频中选,其广泛的应用场景预示着IRLU024NPBF将继续在不断演进的市场中占据一席之地。
五、总结
IRLU024NPBF是一款高效、可靠的N通道MOSFET,凭借其出色的电气特性和适应严苛环境条件的能力,使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论在电源管理、马达控制还是LED驱动应用中,它都能有效降低整体系统的功耗和温升,助力设计更加高效、节能的电子产品,是追求卓越性能工程师的理想选择。