类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 15V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 16.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 30V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A(8/20µs) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 0.55pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402(1006 公制) |
供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
D15V0X1B2LP-7B 是由 DIODES(美台)公司推出的高性能瞬态抑制二极管(TVS二极管),采用表面贴装型封装(0402,即1006公制),以满足现代电子设备对小型化和高可靠性的要求。该元器件特别适用于电源线路保护和敏感电子设备的干扰抑制,设计旨在保护各种电路不受瞬态过电压脉冲的影响。
D15V0X1B2LP-7B 具有以下关键性能参数:
电压特性:
脉冲响应能力:
频率特性:
工作温度范围:
封装与安装:
D15V0X1B2LP-7B 的设计使其能够在多种应用场景中提供有效的瞬态电压保护,尤其是在以下领域:
D15V0X1B2LP-7B 瞬态抑制二极管凭借其卓越的性能指标和广泛的应用场景,成为设计工程师在进行电路保护设计时的重要选择。其小型化设计以及适应严苛工作环境的能力,无疑为各类现代电子产品提供了强有力的保护,满足了高可靠性和高集成度的市场需求。无论是在消费电子、通信设备、工业设备还是汽车电子领域,D15V0X1B2LP-7B 都能为用户提供优质的电子保护解决方案。