晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.8A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 530mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,5V |
功率 - 最大值 | 600mW | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DSS5240V-7 是一种高性能的 PNP 晶体管(BJT),由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产。该元器件专为满足现代电子设备对高效能和可靠性的需求而设计。其在多个应用场景中展现出优异的电气特性,使其成为了电子设计工程师的理想选择。
DSS5240V-7 在电流处理能力上具有出色的性能,其最大集电极电流能够达到1.8A,使其非常适合用于功率放大和开关电路。其集射极击穿电压高达40V,提供了良好的电压调节能力,适合多种应用场合。
饱和压降的表现更是该三极管的一大亮点。在特定的工作参数下,当 Ic 达到200mA 和 2A 时,Vce(sat) 最大值仅为530mV,这代表了更低的电源损耗和更高的效率。对于提供持续电流和快速开关的应用非常重要。
DSS5240V-7 的 DC 电流增益(hFE)在100mA、5V 的工作状态下至少为300。这意味着该三极管能够在较低的基极电流下控制较大的集电极电流,对于设计低功耗电路和用于高效率的放大器电路有显著优势。
DSS5240V-7 的跃迁频率达到150MHz,能够在高频应用中稳定运行。这个频率特性使其适用于数据通讯、开关电源、RF 放大器等对频率敏感的电路中。
该三极管的工作温度范围广泛,从-55°C 至 150°C,确保在极端温度环境下仍能可靠操作。这种性能使其成为军工和航空电子产品等对环境适应性要求极高的领域的优选元件。
DSS5240V-7 采用 SOT-563 表面贴装封装,体积小、密度高,非常适合当今追求小型化和高集成度的电子产品设计。同时,表面贴装型设计还能够提高生产效率和降低生产成本。
DSS5240V-7 的广泛应用场景包括但不限于:
随着电子技术的不断进步,对高效能、高可靠性的元器件需求也越来越大。DSS5240V-7 作为一款高品质的 PNP 晶体管,凭借其出色的电气特性和稳定的性能,必将在多个领域发挥重要作用。
综上所述,DSS5240V-7 是一款卓越的 PNP 晶体管,其高集电极电流能力、低饱和压降、早期的直流电流增益和宽温度范围,使其成为设计复杂电子系统时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是军事应用中,DSS5240V-7 的表现都将带来更高的设计灵活性和产品可靠性,为各类电路提供更强劲的支持。