D3V3S1B2LP-7B
D3V3S1B2LP-7B参数
| 类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 3.8V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 9.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 50A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 410W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 118pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
D3V3S1B2LP-7B手册
D3V3S1B2LP-7B概述
D3V3S1B2LP-7B 产品概述
D3V3S1B2LP-7B是一款高性能的双向齐纳瞬态抑制二极管（TVS二极管），专为电路中的过电压保护而设计。作为美台（DIODES）品牌的产品之一，该二极管在射频通讯、工业控制、消费电子及汽车电子等多种应用场合，提供了可靠的电源保护方案。
关键特性
反向断态电压: 此款TVS二极管的典型反向断态电压为3.3V，其最大值也设定于3.3V。这意味着在正常操作下，器件能够承受的最高电压不会超过这一限度，确保电路的安全和稳定。
击穿电压: D3V3S1B2LP-7B的最小击穿电压为3.8V，这为电路提供了必要的保护阈值。当电压达到此值时，器件会迅速进入导电状态，抑制过电压的影响。
电压箝位: 针对不同的脉冲电流（Ipp），该器件可提供最大9.5V的电压箝位，有效保护后级电路不受瞬态电压冲击。
峰值脉冲电流能力: D3V3S1B2LP-7B能够承受高达50A的峰值脉冲电流（在8/20µs脉宽的情况下），确保在瞬态过电压事件发生时具备极强的抗干扰能力。
功率处理能力: 该产品的峰值脉冲功率可达410W，进一步保障了电路在极端情况下的安全性。
频率响应: D3V3S1B2LP-7B在工作频率为1MHz的情况下具有118pF的电容特性，这一参数使得它在高频应用中也能有效运作，降低信号失真。
温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），适应多种苛刻环境下的使用需求，适合高温和低温的应用场合。
封装与安装类型: D3V3S1B2LP-7B采用0402（1006公制）DFN封装，表面贴装(SMD)设计使其在PCB上占用空间小，适合高密度电路板的使用。
应用场景
D3V3S1B2LP-7B的应用广泛，它适用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要强大瞬态电压抑制的场合。非常适合以下应用：
- 消费电子产品: 提高智能手机、平板电脑和家电等设备的耐压能力，保护组件免受外部电压冲击。
- 工业设备: 保护控制系统中的敏感电子元件，确保其稳健性和耐用性。
- 车载电子: 在汽车电子系统中，提供过电压保护，提升系统的整体安全性。
- 通信设备: 在各种通讯相关设备中，保障信号的稳定传输及设备的整体功能完整性。
总结
D3V3S1B2LP-7B作为一款高效的TVS二极管，其可靠性、稳健性及广泛的应用前景使其成为电路设计中的重要组成部分。选择D3V3S1B2LP-7B不但能够提高电子设备的抗压能力，也能有效延长设备的使用寿命，确保在各种操作条件下依然表现优异。如果您正在寻找一款性能卓越、设计灵活、可靠性极高的瞬态电压抑制器件，D3V3S1B2LP-7B绝对是一个理想的选择。