SDM02M30LP3-7B
SDM02M30LP3-7B参数
| 二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 100mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 450mV @ 10mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 1.6ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 400nA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 2.7pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 供应商器件封装 | 2-X3-DFN0603 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
SDM02M30LP3-7B手册
SDM02M30LP3-7B概述
SDM02M30LP3-7B 产品概述
产品名称： SDM02M30LP3-7B
产品类型： 肖特基二极管
品牌： DIODES（美台）
封装类型： X3-DFN0603-2（0201 表面贴装型）
一．产品描述
SDM02M30LP3-7B 是由 DIODES 提供的一款高性能肖特基二极管，采用紧凑的 DFN0603 封装设计，使其非常适合空间限制较小的现代电子产品。其突出特点为低正向电压降、快速开关速度以及高反向击穿电压，从而确保在高效能与高密度集成电路应用中的优越表现。
二．技术规格
反向电压（Vr）：最大值为 30V，适合高达 30V 的应用场景，这使得该二极管能够有效防止反向电流对电路的损害。
平均整流电流（Io）：额定值为 100mA，适合中等功率需求的应用，如电源管理和电荷泵电路等。
正向电压（Vf）：在 10mA 的正向电流条件下，正向电压仅为 450mV，低电压降使得该二极管在导通时提供更高的能效，减少电能损耗。
反向泄漏电流：在 30V 的反向电压时，反向泄漏电流为 400nA，表明其能够在高反向电压下保持良好的电流隔离能力。
反向恢复时间（trr）：仅为 1.6ns，快速的反向恢复时间使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效抑制开关损耗。
电容特性：在 5V 时，电容为 2.7pF @ 1MHz，这使得其在信号处理应用中引入的失真保持在最低限度。
工作温度范围：器件的工作结温范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种苛刻环境条件，使得该元件在工业、汽车及军事应用中均具备广泛适用性。
三．应用场景
SDM02M30LP3-7B 肖特基二极管由于其优异的电气特性，广泛应用于以下场景：
电源管理：可用作电源整流器，对直流电源进行整流与滤波，提升电源转换的效率。
电荷泵电路：用于提升和降低电压，提供稳定输出，尤其在便携式设备和消费电子产品中应用普遍。
反向电流保护：在供电电路中，可以有效保护敏感元器件，阻止反向电流对其造成损害。
开关电源：适应性强，能够很好地在高频开关模式下工作，适合于开关电源供电系统。
射频（RF）电路：由于其低电容特性，高速开关的特性使其在射频应用中非常有效，应用于信号调制和解调中。
四．总结
SDM02M30LP3-7B 是一款卓越的肖特基二极管，凭借其低正向电压降和快速响应能力，适应了现代电路中对高效能和高集成度的需求。无论是在电源管理、电荷泵，还是在高频开关电源中，该元器件都能满足苛刻的设计要求。其宽广的工作温度范围和小巧的封装设计使其在各种极端环境下皆有出色表现。选择 SDM02M30LP3-7B，您将为您的电子设计提供可靠、高效的解决方案。