FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,8V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 78 毫欧 @ 500mA,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.6nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | -12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 228pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 810mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X4-DSN1006-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
一. 产品简介
DMP2078LCA3-7 是一款由美台(DIODES)公司生产的 P 通道 MOSFET(场效应管),具有较低的导通电阻和宽广的工作温度范围。该器件适用于各种电子电路,可以在多种应用场景中发挥其重要作用,特别是在需要高效能和高频率操作的环境中。
二. 关键参数
FET 类型:DMP2078LCA3-7 属于 P 通道 MOSFET 类型,适合用于高侧开关等应用。
漏源电压 (Vdss):额定为 20V,此参数保证了该 MOSFET 能够承受此范围内的漏极至源极电压,适用于多种电源管理和负载开关的电路设计。
连续漏极电流 (Id):在 25°C 的环境下,器件提供最高 3.4A 的连续漏极电流,能有效满足中等负载的需求。
导通电阻 (Rds On):在 8V 的栅源电压下,DMP2078LCA3-7 的导通电阻最大为 78 毫欧(@ 500mA),低导通电阻意味着在工作过程中会产生较少的热量,提高整体电路效率。
阈值电压 (Vgs(th)):该器件的最大阈值电压为 1.2V,当漏电流为 250µA 时,此低阈值使得其能在较低的栅源电压下导通,便于与不同电平电路的兼容性。
栅极电荷 (Qg):最大栅极电荷为 1.6nC,在4.5V 的栅源电压下,这意味着驱动此 MOSFET 的功耗较低,能快速响应控制信号。
工作温度范围:-55°C ~ 150°C 的宽广工作温度使得该器件在极端环境下仍然能够保持性能稳定,适用于汽车、工业控制和通讯设备等高要求应用场景。
功率耗散:最大功耗为 810mW,足以应对一般的功率需求,确保器件在高负载条件下不发生过热。
三. 封装与安装
DMP2078LCA3-7 采用表面贴装型封装,封装类型为 X4-DSN1006-3。这种封装设计不仅减小了整体PCB尺寸,同时也有助于提升散热性能,适合密集型电路板的设计需求。
四. 应用场景
电源管理:该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器和电源开关应用,在高效能电源设计中扮演重要角色。
负载开关:由于其高电流承载能力与低导通电阻,DMP2078LCA3-7 可用于灯光、马达等负载的开关控制,支持高效的功率传输。
汽车电子:由于其宽工作温度范围,使得该器件非常适合汽车应用,能在严苛的环境条件下稳定工作。
工业控制系统:在各种工业自动化与机械控制的应用中,该器件能够提供可靠的开关控制。
消费电子:该 MOSFET 也适合用于消费类电子产品,如音响、计算机周边设备以及智能家居控制等。
五. 总结
DMP2078LCA3-7 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高承载电流、宽工作温度范围等特性,能够满足现代电路设计对高效能、高可靠性的持续追求。无论是在电源管理、负载开关、还是在汽车和工业控制领域,DMP2078LCA3-7 均展现出其卓越的价值,成为电子工程师们信赖的选择。