DMP3160LQ-7
DMP3160LQ-7参数
| 功率(Pd) | 1.08W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 52.8pF@10V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 122mΩ@10V,2.7A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4nC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 384.4pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.7A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
DMP3160LQ-7手册
DMP3160LQ-7概述
DMP3160LQ-7 产品概述
产品简介
DMP3160LQ-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，适用于多个电子应用领域。作为一款封装在 SOT-23 封装内的元件，DMP3160LQ-7 具有优异的电气特性和可靠性，适合用于电源管理、开关控制和负载驱动等应用。该器件由 DIODES（美台）公司制造，主要用于需要小型化设计及高效能的电子产品中。
主要特性
功率和电压范围：DMP3160LQ-7 的最大功率达 1.08W，能够处理高达 30V 的工作电压，并可以承受 2.7A 的持续电流。这使得它特别适合在低至中等功率应用中，提供可靠的开关性能。
优越的开关性能：作为 P 沟道 MOSFET，DMP3160LQ-7 在关断状态下具有非常低的漏电流，并且在导通状态下提供低的 Rds(on)。这使得其在开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要频繁开关的电路中，能够有效减少功耗和提升系统效率。
小型化设计：SOT-23 封装使得 DMP3160LQ-7 在占用空间方面具有明显优势，特别适合体积受限的现代电子设备，如智能手机、平板电脑和小型家用电器。
良好的热管理特性：尽管封装紧凑，DMP3160LQ-7 的热导性能依然良好，适合高温环境下的使用。通过合理的布局设计，可以有效地将热量散逸，有助于提升元件的寿命和可靠性。
易于驱动：P 沟道 MOSFET 只需在栅极施加负电压便可打开，这简化了驱动电路的设计，使得在许多应用中成为优选的开关元件。
应用场景
电源管理：DMP3160LQ-7 可被广泛应用于开关电源和电池管理系统中，能够高效地控制电流流动，提高能量转换效率。
负载开关：在各种电子设备中，DMP3160LQ-7 被用作负载开关，可以在需要时快速打开或关闭电源流，保障设备的稳定性和安全性。
音频放大器和RF应用：在音频设备和射频（RF）应用中，该 MOSFET 也可以用作信号开关，适用于频率和功率要求较高的场合。
汽车电子：在汽车电子系统中，由于其高性能和小型化特性，DMP3160LQ-7 可以用于电动座椅、车窗控制和LED照明等模块，提升车辆的智能化和舒适性。
结论
DMP3160LQ-7 是一款功能强大、设计灵活的 P 沟道 MOSFET，凭借其高效的电气特性和小型化的 SOT-23 封装，广泛适用于电源管理、负载开关、音频和汽车电子等多个领域。它的出现不仅推动了低功耗、高效率电源管理技术的发展，也满足了现代电子设备对体积和性能的双重需求。无论是在研发高新产品还是在日常电子应用中，选择 DMP3160LQ-7 将为设计者提供强大的支持。