注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN3730UFB-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1-DFN1006-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 470mW 30V 750mA 1个N沟道 X1-DFN1006-3
库存 :
76(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.598按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.598
--
200+
￥0.412
--
1500+
￥0.374
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3730UFB-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 750mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 460 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 64.3pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN3730UFB-7手册
无数据
DMN3730UFB-7概述
DMN3730UFB-7 产品概述
DMN3730UFB-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有较宽的应用范围，特别适用于低功率的开关电源和信号调理电路。该产品由美台半导体（DIODES）公司生产，封装形式为小型的 X1-DFN1006-3，适合表面贴装，能够有效降低 PCB 的空间占用，同时提升电路的集成度和可靠性。
基本参数
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 最大连续漏极电流 (Id)：750mA @ 25°C
- 驱动电压：1.8V（最小 Rds On）和 4.5V（最大 Rds On）
- 导通电阻 (Rds On)：460 毫欧 @ 200mA 和 4.5V
- 阈值栅源电压 (Vgs(th))：950mV @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：1.6nC @ 4.5V
- 最大栅源电压 (Vgs)：±8V
- 输入电容 (Ciss)：64.3pF @ 25V
- 功率耗散：470mW @ 25°C
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：3-UFDFN
应用领域
DMN3730UFB-7 在多种电子应用中表现出色，包括但不限于：
- 开关电源：凭借其较高的电流承载能力和较低的导通电阻，该 MOSFET 非常适合用作开关元件，在高频开关电源中可以显著提高效率。
- 电机驱动：其高开关速度和良好的热特性使其能够在电机控制和驱动电路中发挥重要作用。
- 负载开关：在需要高效控制电力传输的场合，例如电池供电设备，DMN3730UFB-7 可以用作负载开关，提供低功耗的解决方案。
- 信号调理：由于其低栅极电荷，适合用于高精度和低功耗的信号调理电路。
性能特点
小型化设计：通过采用 X1-DFN1006-3 封装，DMN3730UFB-7 可以在空间受限的设计中使用，而不会牺牲性能。
高效能：具有较低的导通电阻和高电流承载能力，使得其在开关应用中提供更高的效率和更低的热量产生。
广泛的工作温度范围：该部件能够在-55°C 到 150°C 的环境条件下正常工作，适合苛刻的工业和汽车应用。
快速开关特性：具有较快的开关速度，可以有效减少开关损耗，提升整体电路性能。
结论
总的来说，DMN3730UFB-7 MOSFET 是一款具有优良性能和多种应用潜力的电子元件。其小巧的封装、出色的热管理能力及广泛的工作温度范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的基础组件。无论是在新兴科技产品的开发还是在传统电力应用中，DMN3730UFB-7 都能够提供卓越的表现，帮助设计师实现高效和可靠的系统设计。