DMP4065S-13

DMP4065S-13 产品概述

概述

DMP4065S-13是一款高性能的P沟道MOSFET器件，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。它的漏源电压为40V，具备良好的电流处理能力，连续漏极电流达到2.4A，非常适合用于电源管理、开关电源和其他需要高电流驱动的电路。此器件采用表面贴装型封装（SOT-23），适应现代电子设备紧凑的设计需求，同时也保证了其散热性能。

基础参数

1. FET类型: P沟道；
2. 技术:MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）；
3. 漏源电压（Vdss）: 40V；
4. 连续漏极电流 (Id): 2.4A（在25°C环境下）；
5. 驱动电压:
   • 最大 Rds On：4.5V
   • 最小 Rds On：10V；
6. 导通电阻（最大值）:
   • 80毫欧 @ 4.2A，10V；
7. 阈值电压（Vgs(th)）:
   • 最大值3V @ 250µA；
8. 栅极电荷（Qg）:
   • 最大值12.2nC @ 10V；
9. Vgs（最大值）: ±20V；
10. 输入电容 (Ciss):
    • 最大值587pF @ 20V；
11. 功率耗散（最大值）: 720mW（Ta）；
12. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）；
13. 安装类型: 表面贴装型；
14. 器件封装: SOT-23（TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）；

产品应用

DMP4065S-13非常适合用于各种电子设备的开关电源和电压调节器中。凭借其低导通电阻和高电流能力，该器件可以有效降低能量损耗，提升系统的整体效率。这使得其在电源管理、负载开关、马达驱动以及功率调节等多个领域都有着广泛的应用前景。

性能特点

1. 低导通电阻: 在4.2A、10V的工作状态下，该器件的最大导通电阻仅为80毫欧，能够大大减少因电流通过引起的损耗，从而提高整体能效。

2. 宽工作温度范围: DMP4065S-13可以在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，使其不仅适合于一般的消费电子产品，还能应对极端环境下的工业应用。

3. 高耐压能力: 随着电子设备的不断进步，对元件的耐压性能要求逐渐提高，该MOSFET具有高达40V的漏源电压能力，满足了许多高压应用的需求。

4. 小型封装: SOT-23的封装类型使得其在电路板上的占用空间小，适合空间要求苛刻的产品设计。

结论

DMP4065S-13是一款集高效能、宽广电压和温度范围于一身的P沟道MOSFET，凭借其在导通电阻、击穿电压和电流能力上的优异表现，成为电源管理和功率控制应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，该器件都能为设计师提供可靠、稳定的解决方案。选择DMP4065S-13，将为您的产品设计带来新的可能性。