DMP2075UVT-7
DMP2075UVT-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 642pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP2075UVT-7手册
DMP2075UVT-7概述
DMP2075UVT-7 产品概述
DMP2075UVT-7 是一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由 DIODES（美台）公司制造，专为要求高效率和小型化设计的电子应用而设计。该器件的工作性能和可靠性使其充分满足了现代电子电路的严苛要求，尤其适合用于电源管理、开关电源、负载开关和电机驱动等领域。
1. 基本参数
DMP2075UVT-7 的关键电气参数如下：
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET具有 20V 的最大漏源电压能力，能够有效支持较高电压的负载，同时确保在过载情况下的安全性。
连续漏极电流（Id）: 该器件在 25°C 环境下的连续漏极电流可达 3.8A，使其适合于多种中等功率应用。
驱动电压: 在栅极驱动电压达到 4.5V 时，器件可实现最小的导通电阻（Rds On）为 75 毫欧。这种较低的导通电阻意味着在正常工作期间消耗更少的功率，从而提高了系统的能效。
2. 门极特性
DMP2075UVT-7 的栅极特性同样优异：
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为 1V @ 250µA 使得该 MOSFET 在较低驱动电压下也能快速开启，适合低电压应用。
栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 驱动下，栅极电荷最大为 8.8nC。这一特性保证了快速开关操作的能力，有助于提高开关速度和降低开关损耗。
3. 输入电容
DMP2075UVT-7 在不同漏源电压下具有较低的输入电容（Ciss）的特性。其在 10V 时最大的输入电容为 642pF，这使得其在高频应用中的性能表现优秀，并减少了信号延迟。
4. 热特性
该 MOSFET 的最大功率耗散为 1.2W（Ta），适合于在较高功率条件下操作。宽工作温度范围（-55°C 到 150°C）进一步提升了 DMP2075UVT-7 的应用灵活性，使其在恶劣环境中仍能稳定工作。
5. 封装与安装
DMP2075UVT-7 使用 TSOT-26 表面贴装型封装，这种细型封装的设计不仅降低了占用的电路板空间，同时也助力于器件在高密度设计中的应用。适合现代电子产品的小型化和轻量化需求。
6. 应用场景
DMP2075UVT-7 可应用于多种电子电路中：
电源管理: 在开关电源和 DC-DC 转换器中作为开关元件，提供高效的电源转换和更好的输出稳定性。
负载开关: 适用于电池供电设备中开关控制，能够以较低的能量损耗实现高效开关操作。
电机驱动: 在低电压电机驱动应用中，DMP2075UVT-7 的性能可以确保电机在启动和运行过程中提供稳定的电流。
7. 总结
DMP2075UVT-7 是一款优质的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力和卓越的热特性，广泛适用于各种电子应用。对于需要高性能、高可靠性和小型化的现代电子产品，DMP2075UVT-7 是一个理想的选择。无论是在电源管理还是负载开关的应用中，这款 MOSFET 的特点都能提供有力支持，助力工程师实现更高效的设计。