74LVC1G00QSE-7
74LVC1G00QSE-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电平 - 高 | 0.95V ~ 3.4V |
| 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟 | 5.5ns @ 5V，50pF | 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 电流 - 静态（最大值） | 4µA | 逻辑电平 - 低 | 0.7V ~ 0.8V |
| 电压 - 供电 | 1.65V ~ 5.5V | 输入数 | 2 |
| 逻辑类型 | 与非门 | 电流 - 输出高、低 | 32mA，32mA |
| 电路数 | 1 |
74LVC1G00QSE-7手册
74LVC1G00QSE-7概述
74LVC1G00QSE-7 产品概述
一、产品简介
74LVC1G00QSE-7是DIODES公司推出的一款高性能单通道与非门（NAND Gate）逻辑集成电路，采用表面贴装（SMD）技术，封装为SOT-353。该产品能够在宽电压范围内运作，适用于各种低功耗应用场合，包括便携式设备、通信产品和工业控制系统等。
二、基本特性
安装类型：本产品采用表面贴装型，设计旨在节省空间并提高生产效率。SOT-353封装尺寸较小，非常适合需要较高集成度的电路设计。
工作电压范围：74LVC1G00QSE-7的供电电压范围为1.65V至5.5V，广泛适用于各种逻辑电平设计，其中包括TTL和CMOS兼容电路。
逻辑电平：该器件的高逻辑电平范围为0.95V至3.4V，低逻辑电平则在0.7V至0.8V之间，使其能够在不同的工作环境和条件下维持稳定操作。
电流特性：74LVC1G00QSE-7在高和低输出状态下均能提供最大32mA的输出电流，适合驱动中等负载的应用。这一特性确保了其在处理信号时所需的驱动能力。
最大传播延迟时间：在5V供电和最大输出负载（50pF）条件下，该器件的传播延迟最大仅为5.5ns，处理速度非常快，适合高频信号应用。
静态电流：74LVC1G00QSE-7在静态状态下的最大电流为4µA，优秀的低功耗设计意味着该器件非常适合用在需要长电池寿命的便携式设备中。
工作温度范围：该产品可在-40°C至125°C的广泛温度范围内工作，保证了其在极端环境条件下的可靠性。
三、应用场合
由于74LVC1G00QSE-7的良好电气特性及适应性，它在多个领域得以应用，包括但不限于：
- 通信设备：可用于数据传输和处理器接口，提升信号处理效率。
- 工业控制系统：作为控制信号的逻辑处理单元，适应各种工业温度与环境要求。
- 消费电子：例如音频处理、显示驱动和电源管理等领域，提供稳定而准确的逻辑操作。
- 汽车电子：在可靠性要求极高的汽车电子系统中，74LVC1G00QSE-7凭借其耐高温及低功耗特性，深得青睐。
四、总结
74LVC1G00QSE-7是功能强大且灵活的逻辑器件，适合多种低电压和低功耗的电子应用。其优异的性能参数，如低静态功耗、广泛的工作电压范围和快速的传播延迟，使其成为现代电子设计中理想的选择。无论是在通信、工业、消费电子还是汽车行业，74LVC1G00QSE-7都能为设计工程师提供所需的可靠性和性能，助力开发出更高效、更智能的电子产品。