类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 8V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 8.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 17V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 68W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 8.5pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
随着现代电子设备功能的复杂化和对可靠性的要求日益提高,瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor, TVS)的作用愈发重要。D8V0L1B2LPQ-7B是美台(DIODES)公司推出的一款高性能瞬态抑制二极管,旨在为各种应用提供有效的电压保护,特别是在处理高电压瞬变时表现出色。这一产品利用其优越的电气特性与可靠的工作质量,可以广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子等领域。
电压特性
D8V0L1B2LPQ-7B的反向断态电压典型值为8V(最大可达8V),使其成为对8V以上脉冲电压的有效抑制器。这种特性在一定程度上保护下游的敏感电子元件,避免因瞬态过电压而造成的损坏。
击穿电压
该器件具有较高的击穿电压,最小值达到8.5V,能够在极短的时间内响应电压变化,有效避免过电压带来的潜在风险。
过载能力
D8V0L1B2LPQ-7B具备4A(10/1000µs)和68W的峰值脉冲电流和功率能力,能够适应高能量瞬态脉冲,确保电路系统在突发电流瞬间的稳定性。
宽工作温度范围
该产品适应的工作温度范围为-65°C至150°C,这使得其可在恶劣环境条件下正常运作,极大地提高了其应用的灵活性和可靠性。
电容特性
D8V0L1B2LPQ-7B在1MHz下的电容值为8.5pF,较低的电容特性使其在高频应用中也能保持良好的性能,适合用于高速数据信号的保护。
小型封装
采用0402(1006公制)表面贴装封装,D8V0L1B2LPQ-7B在尺寸上具有绝对优势,非常适合对空间有严格要求的电路设计。
消费电子
在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中,D8V0L1B2LPQ-7B可以用于USB接口、HDMI接口等对过压有严格要求的模块,确保数据传输的安全性与稳定性。
汽车电子
随着汽车电子化程度不断提高,该二极管可以用于各种汽车电气系统中,如电源保护、充电设备的瞬态抑制,避免电气系统遭受外部过电压及瞬态脉冲的影响。
通信设备
在网络设备和基站中,D8V0L1B2LPQ-7B可作为信号线路的保护元器件,有效防止雷击和其他瞬态事件造成的损坏,确保网络系统的持续稳定运行。
工业设备
在工业控制器、PLC、传感器等关键设备中,该产品可提供必要的电压保护,提升系统的可靠性,降低维护成本。
D8V0L1B2LPQ-7B瞬态抑制二极管凭借其优越的电气特性、小型封装及宽广的应用范围,成为了电子设计师在保证电路安全性时的重要选择。无论是在消费电子、自动化工业还是汽车电子领域,它都展现出良好的保护性能,为各种高电压瞬态事件提供了有效的解决方案。因此,选择D8V0L1B2LPQ-7B将为您的产品设计增添一份可靠的保障。