DCX115EK-7-F 产品实物图片
DCX115EK-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DCX115EK-7-F

商品编码: BM0107672291
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SC-74R-6
库存 :
2900(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.581
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.581
--
200+
¥0.4
--
1500+
¥0.364
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DCX115EK-7-F参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)100 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-74,SOT-457
供应商器件封装SC-74R

DCX115EK-7-F手册

empty-page
无数据

DCX115EK-7-F概述

产品概述: DCX115EK-7-F

1. 产品简介

DCX115EK-7-F是一款高性能数字晶体管,采用先进的双型封装设计,内置一个NPN和一个PNP晶体管,适合各种数字和模拟电路应用。其具有50V的集射极击穿电压和最大100mA的集电极电流,广泛应用于开关电源、电路驱动和放大器等场景。该器件特别适合需要较低功耗和小型化设计的应用。

2. 主要特点

  • 双晶体管设计: 内含一个NPN和一个PNP晶体管,满足多样化的电路需求。
  • 低饱和压降: 最大饱和压降为300mV(@250µA,5mA),确保在开关操作时能有效降低功耗。
  • 高增益性能: 在不同的集电极电流(Ic=5mA)下,DC电流增益(hFE)最小值为82,提供可靠的信号放大能力。
  • 高频率响应: 频率跃迁可达250MHz,使其能够在高速数字电路中发挥优异性能。
  • 超低集电极截止电流: 最大集电极截止电流仅为500nA,降低了静态功耗。
  • 表面贴装型设计: 采用SC-74R封装,整体尺寸小,适合自动化贴片,节省PCB空间。

3. 电气特性

  • 集电极电流 (Ic): 最大100mA,适用多种负载驱动。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 可承受高达50V的击穿电压,适合高压应用。
  • 基极电阻 (R1): 100kΩ,提供适当的输入电阻和偏置设置。
  • 发射极电阻 (R2): 100kΩ,确保稳定的工作状态和良好的线性放大能力。

4. 应用领域

DCX115EK-7-F数字晶体管适用于以下领域和场景:

  • 开关电源: 由于其低功耗特性和高频特性,在电源开关应用中表现出色。
  • 电机驱动: 能够驱动小型电机和执行机构,应用于机器人和自动化设备。
  • 信号放大: 在音频和视频信号处理电路中,能够有效放大微弱信号。
  • 传感器接口: 可用于各类传感器信号的调理和放大。

5. 设计建议

在使用DCX115EK-7-F时,以下设计建议将帮助优化性能:

  • 适当的偏置设置: 确保基极和发射极的电阻设置得当,以获得所需的工作点与增益。
  • 热管理: 尽管其最大功率为300mW,但在高负载条件下,建议采取适当的热管理措施,以保证器件的长期稳定性和可靠性。
  • 电路布局: 在PCB设计时,注意减少路径的电感和电阻,以提升开关速度和信号完整性。

6. 包装和存储

DCX115EK-7-F以SC-74R(SOT-457)封装提供,适合高密度的电路板布局。产品在存储时,应避免潮湿环境,建议保存在干燥、低温的条件下,以确保最佳性能和延长器件的使用寿命。

总结

DCX115EK-7-F是一款集NPN/PNP双晶体管于一体的数字晶体管,不仅具备高效率和小型化的优势,还在低功耗应用中展现出卓越性能。其广泛的应用领域和优秀的电气特性,使其在现代电子设计中成为不可或缺的重要元件。无论是在开关电源、信号处理还是电机驱动领域,DCX115EK-7-F都能提供可靠和高效的解决方案。