FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta),900mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V,700 毫欧 @ 430mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.1pC,0.7pC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 42pF,49pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
DMC2710UVT-7 是一种高性能的互补型场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)生产,专为电源管理和信号开关等应用场景设计。其采用表面贴装型封装(TSOT-26),具有适合现代电子设备小型化需求的特性。此器件集成一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET,适合在高频及高效率电源转换应用中使用。
DMC2710UVT-7 能够广泛应用于多个领域,包括但不限于:
DMC2710UVT-7 是一款性能强大且灵活的互补型 MOSFET,凭借其高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围,成为设计现代电源管理和信号开关电路的理想选件。随着电子设备设计日趋小型化与智能化,其在各类现代应用中的潜力无疑将持续增长。