HS1DDF-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

HS1DDF-13

商品编码: BM0107672230
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DFLAT
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
开关二极管 1.1V@1A 200V 5uA@200V 1A SMD
库存 :
9626(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.71
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.71
--
100+
¥0.489
--
500+
¥0.445
--
2500+
¥0.412
--
5000+
¥0.385
--
10000+
¥0.36
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

HS1DDF-13参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源二极管类型标准
电流 - 平均整流 (Io)1A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr、F 时电容16pF @ 4V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳2-SMD,扁平引线供应商器件封装D-Flat
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
反向恢复时间 (trr)15ns不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 1A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V

HS1DDF-13手册

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HS1DDF-13概述

HS1DDF-13 产品概述

HS1DDF-13 是一款由 Diodes Incorporated 制造的高性能开关二极管,专为各种电子应用而设计。其具有优越的电气特性及可靠的工作性能,适合用作信号整流、开关电路以及其他快速电子开关应用。以下是该产品的详细信息和特性。

1. 主要技术参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 零件状态: 有源
  • 二极管类型: 标准开关二极管
  • 平均整流电流 (Io): 1A
  • 快速恢复速度: 恢复时间不超过 500ns,当电流大于 200mA 时,反向恢复时间为 15ns
  • 不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
  • 封装/外壳: 2-SMD,扁平引线 (D-Flat)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 最大 DC 反向电压 (Vr): 200V
  • 不同 If 时的正向电压 (Vf): 1.1V @ 1A
  • 反向泄漏电流: 5µA @ 200V

2. 设计与制造特点

HS1DDF-13 的设计采用了最新的半导体技术,其快速恢复特性使其能够在高频开关操作中表现出色。该型号二极管配备有良好的热稳定性,工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在极端环境条件下依然能够可靠工作。

由于其封装类型采用了 SMD 表面贴装设计,HS1DDF-13 不仅适用于自动化装配,还节省了PCB的空间,适合于各种小型化电子产品的应用。此外,二极管的 D-Flat 封装形式能够实现良好的散热性能,有助于维持器件的稳定性和长寿命。

3. 应用领域

HS1DDF-13 的广泛应用场景包括但不限于:

  • 开关电源: 在 DC-DC 转换器、逆变器等领域中,作为整流和保护二极管来提升系统效率。
  • 信号处理: 在信号整流电路中应用,以快速响应信号变化,确保信号完整性。
  • 保护电路: 用于电气设备的过压保护和反向电流保护,保护敏感元器件不受损失。
  • 消费电子: 在智能手机、平板电脑、电视和其他小型设备中,作为关键的电流管理元件。

4. 性能优势

  • 高效的电流管理: 其 1A 的平均整流电流能够满足多种中小功率电路的需求。
  • 低正向电压降: 1.1V @ 1A 的正向电压性能降低了能量损耗,对于提升效率和延长电池寿命至关重要。
  • 超低反向泄漏电流: 5µA @ 200V 的反向泄漏电流使得该组件在高压应用中能够保持较好的能效,减少电池消耗。

5. 总结

综上所述,HS1DDF-13 是一款兼具高性能和可靠性的开关二极管,适合多种电子设备与电路的需求。凭借其出色的电气特性、宽广的工作温度范围及卓越的封装设计,使其成为工程师们在选用开关二极管时的理想选择。无论是在工业应用还是消费电子产品中,HS1DDF-13 的应用均能够保证电路的高效与安全,为相关技术的健康发展奠定了基础。