类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 3.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 4V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 10V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 35A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 350W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 280pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
在现代电子设计中,电源保护是至关重要的一环,特别是在脆弱的电路和敏感元器件前端。D3V3H1U2LP-7B是一款高性能的齐纳二极管,专为电源线路保护而设计,提供可靠的防过压和瞬态电压抑制功能。由美台半导体(DIODES)出品,D3V3H1U2LP-7B凭借其卓越的性能参数,广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备等多种应用场合。
D3V3H1U2LP-7B属于表面贴装型(SMD)元器件,封装尺寸为0402(或1006公制),适合自动化贴片焊接。其额定的反向断态电压为3.3V,反向击穿电压的最小值为4V。这表明当电压达到4V时,该齐纳二极管将开始导通,以保护下游电路免受到过高电压的损害。
在处理瞬态电压时,该二极管能够承受的峰值脉冲电流达到35A(在10/1000µs脉冲宽度下),最大钳位电压为10V。这种高钳位电压和峰值脉冲能力使得D3V3H1U2LP-7B在极端过电压情况下能够有效保护电路,避免损坏。其峰值脉冲功率可达到350W,保证了在恶劣环境下的稳定性与可靠性。
该元件在1MHz频率下的电容值为280pF,进一步优化了其在高频应用下的性能。这一特性使得D3V3H1U2LP-7B不仅适用于常规应用,也适合高速数字电路和射频通信设备。电容的低值有助于在保护电路的同时,降低信号失真及延迟。
D3V3H1U2LP-7B的工作温度范围为-65°C到150°C(结温TJ),使其能够在极端温度下持续稳定地工作。无论在高温环境还是在低温极限,D3V3H1U2LP-7B都能保持良好的性能表现。这一宽广的工作温度范围,特别适合恶劣条件下的应用,例如航天、汽车以及工业控制系统。
D3V3H1U2LP-7B具有广泛的应用场景,尤其是在以下领域中表现突出:
总之,D3V3H1U2LP-7B是一款设计精良的齐纳二极管,具有出色的电压钳制能力和宽广的工作温度范围,充分满足了现代电气设备对安全和性能的严格要求。无论是在高频应用还是在高压保护的需求上,该元器件都能提供持久的稳定性与可靠性,是设计人员在电源保护方案中不可或缺的选择。通过使用D3V3H1U2LP-7B,工程师们能够确保他们的电路在多种工作条件下都能保持安全与可靠的运行。