FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 欧姆 @ 100mA,4V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .58nC @ 4V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50.54pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 425mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
封装/外壳 | 3-UFDFN |
一、概述
DMP56D0UFB-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(绝缘栅场效应管),设计用于满足现代电子应用对高开关效率和小型化的需求。该器件由 DIODES(美台)推出,是在其 X1-DFN1006-3 封装中实现的小型化解决方案,具有优良的电气性能和高度的可靠性,适用于多种电源管理和信号调节应用。
二、产品特性
电气特性
驱动特性
温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),适用于工况严苛的环境中,如工业设备和汽车电子等。
封装: 封装采用标准 3-UFDFN(X1-DFN1006-3),具备良好的散热性能和小占板面积,便于实现高密度设计。
功率耗散: 器件的最大功率耗散为 425mW(@ Ta),在高效节能设计中表现卓越。
三、应用领域
DMP56D0UFB-7 产品适用于多种电子和电气应用,涵盖以下领域:
四、总结
DMP56D0UFB-7 是一款具备高效电气性能和卓越可靠性的 P 通道 MOSFET,适合于广泛的电源管理及信号调节应用。其小型封装设计与高温工作范围使其在现代电子设备中更加灵活且高效。此外,低导通电阻、快速开关响应以及较低的栅极电荷,显著降低了能量损耗,提升了整体系统的工作效果。
对于设计师和工程师而言,DMP56D0UFB-7 提供了一个理想的选择,尤其在寻求高效能、高可靠性以及小型化电子元件的市场中,其出色的特性使其能够应对严苛的应用需求。选择 DMP56D0UFB-7,即是选择了性能与稳定的结合,赋予产品更高的竞争力。