DMP56D0UFB-7 产品实物图片
DMP56D0UFB-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP56D0UFB-7

商品编码: BM0107672126
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
1584(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.683
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.683
--
200+
¥0.471
--
1500+
¥0.428
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP56D0UFB-7参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)50V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 100mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).58nC @ 4V
Vgs(最大值)±8V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50.54pF @ 25V
功率耗散(最大值)425mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装3-X1DFN1006
封装/外壳3-UFDFN

DMP56D0UFB-7手册

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DMP56D0UFB-7概述

DMP56D0UFB-7 产品概述

一、概述

DMP56D0UFB-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET(绝缘栅场效应管),设计用于满足现代电子应用对高开关效率和小型化的需求。该器件由 DIODES(美台)推出,是在其 X1-DFN1006-3 封装中实现的小型化解决方案,具有优良的电气性能和高度的可靠性,适用于多种电源管理和信号调节应用。

二、产品特性

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): DMP56D0UFB-7 的最大漏源电压为 50V,使其适合于各种高压应用。
    • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时可承载最大 200mA 的连续漏极电流,适合低功耗电路的设计。
    • 导通电阻(Rds On): 在 4V 的栅极驱动电压下,器件在 100mA 的电流条件下,导通电阻最大值为 6Ω,提供低损耗性能,能够有效降低热量产生。
  2. 驱动特性

    • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 1.2V(@ 250µA),确保在低电压驱动条件下能够快速开启。
    • 栅极电荷(Qg): 在 4V 电压下,栅极电荷最大值仅为 0.58nC,降低了电源驱动阶段的功耗。
  3. 温度范围: 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),适用于工况严苛的环境中,如工业设备和汽车电子等。

  4. 封装: 封装采用标准 3-UFDFN(X1-DFN1006-3),具备良好的散热性能和小占板面积,便于实现高密度设计。

  5. 功率耗散: 器件的最大功率耗散为 425mW(@ Ta),在高效节能设计中表现卓越。

三、应用领域

DMP56D0UFB-7 产品适用于多种电子和电气应用,涵盖以下领域:

  • 电源管理: 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器等,自适应调节电压和电流输出,提高整体能效。
  • 汽车电子: 在汽车供电系统中,用于电源开关、驱动电路等。
  • 消费电子: 如手机、平板电脑等便携设备中的功率控制和电源切换。
  • 工业设备: 自适应控制系统、传感器接口等场合。

四、总结

DMP56D0UFB-7 是一款具备高效电气性能和卓越可靠性的 P 通道 MOSFET,适合于广泛的电源管理及信号调节应用。其小型封装设计与高温工作范围使其在现代电子设备中更加灵活且高效。此外,低导通电阻、快速开关响应以及较低的栅极电荷,显著降低了能量损耗,提升了整体系统的工作效果。

对于设计师和工程师而言,DMP56D0UFB-7 提供了一个理想的选择,尤其在寻求高效能、高可靠性以及小型化电子元件的市场中,其出色的特性使其能够应对严苛的应用需求。选择 DMP56D0UFB-7,即是选择了性能与稳定的结合,赋予产品更高的竞争力。