D3V3X8U9LP3810-7
D3V3X8U9LP3810-7参数
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 8 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 5.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 7V（标准） | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 20W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 0.45pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 9-UDFN | 供应商器件封装 | U-DFN3810-9 |
D3V3X8U9LP3810-7手册
D3V3X8U9LP3810-7概述
D3V3X8U9LP3810-7是一款高性能的瞬态抑制二极管（TVS二极管），由DIODES（美台）公司生产。它采用U-DFN3810-9封装，适合在表面贴装（SMD）应用中使用。凭借其优越的电气特性和小巧的尺寸，D3V3X8U9LP3810-7广泛应用于各种电子设备中，以保护敏感元件免受瞬态电压尖峰的影响。
主要规格
类型与结构：D3V3X8U9LP3810-7是齐纳类型的瞬态抑制二极管，具备8个单向通道，使其能够在多条信号路径中有效工作，为电子设备提供稳固的保护。
反向断态电压（VRWM）：该器件的典型电压为3.3V，表示其设计用于在正常工作条件下实现稳定的反向电压保护。这一参数确保设备在正常操作时不会发生失效。
击穿电压（VBR）：D3V3X8U9LP3810-7的最小击穿电压为5.5V，在电路发生异常的瞬态电压高于此值时，二极管会迅速导通，从而保护后端负载。
箝位电压：在不同测试条件下，该设备的最大箝位电压为7V（标准），当输入电压超过其额定水平时，能够有效限制输出，防止电子元器件损坏。
峰值脉冲电流（Ipp）：承受的峰值脉冲电流为3A（10/1000µs），此外在8/20µs时也能够承受高达3A的脉冲电流。这使得器件对突发的高频电流变化具有强大的处理能力。
峰值功率：D3V3X8U9LP3810-7的峰值功率为20W，能够有效处理瞬态过载，增强其整体耐用性。
频率特性：在1MHz时其电容值为0.45pF，这一低电容特性使其适合高速信号的应用，确保了在高频率下信号的完整性。
工作温度范围：器件支持的工作温度范围为-55°C至85°C，适用于各种极端环境下的应用。
应用场景
D3V3X8U9LP3810-7适合用于多种电子和电气设备中的瞬态电压保护，特别是在数据接口、通信设备和消费电子产品中。在现代电子产品中，随着越来越多的接口和线路被集成化，瞬态电压尖峰对设备的威胁亦愈加显著。此款TVS二极管可有效防止因静电放电（ESD）、电涌、瞬时过电压和其他电力干扰引起的损害。
显著优势
这种瞬态抑制器件以其独特的综合特性而受到青睐，适合应用于需要高速信号传输与保护的重要场景。它的小型封装设计和卓越的电气性能使其成为现代电路设计中的理想选择。
总之，D3V3X8U9LP3810-7是为保护敏感电子器件而设计的高效、可靠和轻量级的瞬态抑制二极管，能够在多种应用中有效抵御突发电压带来的潜在风险，其优良的综合性能与广泛的应用前景使其在电子组件领域具有重要的地位。