2SCR502UBTL
2SCR502UBTL参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 10mA，200mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 200nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 360MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-85 | 供应商器件封装 | UMT3F |
2SCR502UBTL手册
2SCR502UBTL概述
2SCR502UBTL 产品概述
一、产品简介
2SCR502UBTL是一款高性能的NPN型晶体管，这种晶体管广泛应用于各种电子设备中，尤其是在需要有效放大信号或开关电流的应用场景。凭借其小巧的SC-85封装和卓越的电气性能，2SCR502UBTL成为了许多电子设计工程师的首选组件。其高达500mA的集电极电流能力与30V的集射极击穿电压，使其能够承受更高的电流和电压，为设计高效、可靠的电路提供了强大的支持。
二、主要参数
类型与结构
作为一种NPN型三极管，2SCR502UBTL的基本工作原理是通过小输入电流控制较大输入电流的导通与截止，实现信号的放大。其结构设计使得其在高频应用中表现出色，跃迁频率达到360MHz，适合用于高速开关电路。电气特性
- 集电极电流 (Ic)：最大可达500mA，适合高功率应用。
- 集射极击穿电压 (Vce(BR))：最大值为30V，可在多种电压等级的电路中安全工作。
- 饱和压降 (Vce(sat))：在不同的工作条件下，其饱和压降最大值为300mV（在10mA和200mA电流时），保证了在开关状态下低功耗、高效率。
- 集电极截止电流 (ICBO)：最大值为200nA，表明该晶体管具有极低的漏电流，使其更加高效。
直流电流增益 (hFE)
在100mA及2V的条件下，2SCR502UBTL的最小直流电流增益hFE为200，确保了信号的稳定放大，对于不同的系统设计可提供合理的增益选择。功耗
最大功率额定为200mW，适合低功耗应用中使用，同时保证了组件在高温环境下的稳定性。工作温度
工作温度范围高达150°C（TJ），使该器件在严酷环境下依然表现出色，非常适合一些工业设备和汽车电子的应用需求。
三、封装与安装
2SCR502UBTL采用SOT-323-3（UMT3F）封装，这种小型表面贴装型设计便于在现代电子电路中节省空间，有助于提高电路的集成度。表面贴装的特性也使得该晶体管的焊接与组装更加便捷，适用于自动化生产线。
四、应用场景
由于其优越的电气特性，2SCR502UBTL可以广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 信号放大器：在音频设备和无线通信产品中用于信号的放大。
- 开关电路：在各种电子开关应用中，例如LED驱动、高频开关电源等。
- 汽车电子：适用于汽车中的传感器信号处理、继电器驱动等场合。
- 工业控制：在自动化系统中，用于控制高电流负载，提升系统的工作效率。
五、总结
2SCR502UBTL以其出色的电气性能和小型封装设计，在现代电子设备中承担着关键角色。无论是高频应用、低功耗设计，还是高温工作环境，该晶体管都能稳定地执行其功能，帮助工程师实现高效可靠的电路设计。罗姆为需求多样化的市场提供了这一高品质的元器件，其高性能特性让其成为当代电子产品设计的理想选择。