晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
2SAR523MT2L 产品概述
概述
2SAR523MT2L 是一款高性能的PNP型晶体管,由领先的半导体制造商 ROHM(罗姆)生产。凭借其出色的规格,2SAR523MT2L 尤其适合在各种电子应用中作为信号放大器和开关元件。其封装类型为 SOT-723,使其适合用于空间有限的印刷电路板(PCB)设计,提供了良好的电流处理能力与集成度。
主要特性与参数
高电流能力:2SAR523MT2L 的最大集电极电流(Ic)为100mA,能够满足一般应用的需要,适用于信号放大和开关控制。
耐压实力:该晶体管的集射极最大击穿电压(Vce)为50V,保证在高电压操作情况下的稳定性,使得其能够适应多种应用场景。
低饱和压降:其在不同基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下的Vce 饱和压降最大值为400mV(在5mA和50mA测试条件下),表明其在开关状态下的功耗较低,从而提高了整体电路的效率。
极低的集电极截止电流:芯片的ICBO最大值为100nA,表示其具有非常优异的关断特性。在电路不工作的情况下,能有效减少线路的泄漏电流。
高 DC 电流增益:在1mA的基极电流和6V的集射极电压下,本产品的最小直流电流增益 (hFE) 为120。高增益特性使得在放大信号时能够实现更高的输出,适应多种需要放大信号的应用场合。
功率与温度特性:其最大功率为150mW,并可以在高达150°C的结温(TJ)下工作,此特性使得该设备适合于高温环境下运行,确保其在长时间工作中的可靠性。
频率响应:2SAR523MT2L的跃迁频率为300MHz,意味着其可用于高频信号处理,尤其适合在无线通信以及高速数据传输等领域。
应用场景
由于其优异的性能参数,2SAR523MT2L 在多个领域具有广泛的应用,包括:
结论
2SAR523MT2L 晶体管因其出色的性能参数和多样的应用场景,成为设计师和工程师们在开发电子产品时的重要选择。其在高温、高频及高电流等条件下的卓越表现,使得它适合于当今电子设备中对性能与效率的严格要求。通过使用此款产品,可以提高最终产品的可靠性与性能,满足现代电子产品日益增长的复杂性和多样性需求。无论是音频应用还是电源管理,2SAR523MT2L 都能以其卓越的性能为设计提供有力的支持。