1N5401G-T
1N5401G-T参数
| 安装类型 | 通孔 | 不同 Vr、F 时电容 | 40pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 3A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 3A |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 100V | 反向恢复时间 (trr) | 2µs |
1N5401G-T手册
1N5401G-T概述
1N5401G-T 产品概述
一、概述
1N5401G-T是一款广泛应用的通用整流二极管，属于DO-201AD封装类型。该元器件由知名半导体制造商DIODES（美台）生产，适用于各种要求高电流和高电压的电源电路。其设计使其在各种环境条件下表现出色，特别是高温和高电压应用。该产品的额定整流电流为3A，最大反向电压为100V，具有良好的整流特性和可靠性，适合用于电源整流、变压器输出整流以及其他需要反向导通特性的应用。
二、主要特性
整流特性: 1N5401G-T的额定正向电流（Io）为3A，反向电流泄漏量在额定反向电压（Vr）100V下仅为5µA，显示出出色的电气性能。这使得该元器件在实际电路中具备良好的整流效果并能有效减少功耗。
正向电压降: 在3A的工作条件下，该二极管的正向电压降（Vf）为1.1V，较低的正向电压降有助于降低能量损耗并提高电路的整体效率，在交流电源整流和直流电源应用中表现优异。
反向恢复时间（trr）: 1N5401G-T的反向恢复时间为2µs，适合快速开关应用，能够满足各种变化 load条件下的要求，具有一定的抗开关损耗能力。
宽温度范围: 该元器件的工作结温范围为-65°C到150°C，非常适合在恶劣环境下和高温场合使用，能够保证设备在不同温度条件下的稳定性与可靠性。
反向电压: 1N5401G-T的最大反向电压达到100V，允许其在高电压环境下工作，适用于对电压抗扰性要求较高的应用场景。
三、应用领域
1N5401G-T广泛应用于以下几个方面：
电源整流: 在AC-DC转换器中，1N5401G-T被普遍用于电源整流电路，能够将交流电有效转化为稳定的直流电，适用范围包括适配器、电源模块及家庭电器等。
变频器: 该二极管可用于变频器中的整流桥设计中，以高效整流过程中的电流，转化为可用的直流电。
充电器: 在充电器电路中，1N5401G-T可以有效地处理充电过程中的电流和电压变化，确保设备安全且稳定地充电。
汽车电子: 该产品可应用于汽车电子设备中，例如发电机整流，以实现可靠的电源提供，阳光或温湿变化下仍能稳定工作。
四、总结
1N5401G-T以其优越的电气性能、高容许的工作温度和较低的正向电压降等多方面的优势，成为电源整流、变频器及充电器等应用中的热门选择。其强大的整流能力和可靠性使其在各类电子设备中均有着不可忽视的应用价值，是设计人员非常值得信赖的一款二极管产品。在现代电子设备日益增长的性能要求与多样化应用场景下，1N5401G-T无疑是一个令人满意的解决方案。