DMN2024UFDF-7
DMN2024UFDF-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .9nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 647pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN2024UFDF-7手册
DMN2024UFDF-7概述
DMN2024UFDF-7 产品概述
DMN2024UFDF-7 是一款来自美台（DIODES）的高性能 N 通道 MOSFET 器件，具有卓越的电气性能和广泛的应用场景。该器件采用 U-DFN2020-6 封装，体积小巧且便于表面贴装，为现代电子产品设计提供了便利。以下将对其基础参数、性能特点及应用场景进行详细解读。
基础参数
FET 类型: 该 MOSFET 为 N 通道设计，能够在正电压下有效导通，适合用于高侧开关和低侧开关等电路中。
漏源电压 (Vdss): DMN2024UFDF-7 的漏源电压可承受高达 20V，这使得其在小功率应用中表现出色，适合用于低压电源管理和信号调理等场合。
最大连续漏极电流 (Id): 器件在 25°C 时的最大连续漏极电流为 7.1A，这一参数表明该 MOSFET 能在相对较高的电流下有效工作，为诸如电机驱动、LED 驱动等应用提供强有力的支持。
导通电阻 (Rds On): 在 4.5V 的栅压下，导通电阻最大值为 22 毫欧，反映出其出色的电流通导能力和低功耗特性。这使得 DMN2024UFDF-7 在高频和高效率应用中表现优越，能够减少在导通状态下的功耗损失。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 流经漏路时，最大阈值电压为 1V，意味着在低压操作下，器件能够较快启动，有利于快速开关应用。
栅极电荷 (Qg): 样品的栅极电荷最大值为 0.9nC（在 10V 的栅压下），这使得该 MOSFET 能够以极低的驱动功耗实现高频操作，对于高开关频率的应用尤其重要。
功率耗散: 该MOSFET的最大功率耗散为 960mW（在标准工作环境下），这为散热设计提供了一定的可行性。
工作温度范围: DMN2024UFDF-7 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合在多种恶劣环境下应用，可以满足汽车电子和工业自动化等高要求的应用场景。
性能特点
优越的热性能：由于其封装设计与较低的导通电阻，DMN2024UFDF-7 具备出色的热性能，即使在高功率下运行也能有效控制温度，确保器件长期稳定工作。
小型化设计：U-DFN2020-6 封装的细小尺寸让其更适合现代电子产品的小型设计需求，帮助设计师节省电路板空间，提高整个系统的集成度。
易于驱动：主要针对低电压驱动的设计，使得其适合与多种控制逻辑接口兼容，简化了设计难度。
应用场景
DMN2024UFDF-7 的优异性能使其能够灵活应用于多种电子设计，具体应用包括但不限于：
电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中，作为高侧或低侧开关使用，改进整体能效。
LED 驱动：能够稳定提供必要的电流以驱动LED，尤其在对开关频率有一定要求的应用中表现突出。
电机驱动：适用于电机控制系统中，能够高效地管理电机的启动、运行和停止。
通信设备：在通信设备中，DMN2024UFDF-7 作为信号开关使用，能够有效传递信号而不引入过多的损耗。
消费电子：适用于手机、平板电脑等消费电子产品中，通过高效的电源管理，延长设备的续航能力。
总体而言，DMN2024UFDF-7 作为一款高性能 MOSFET 器件，以其卓越的电气性能，适应严格的工作环境及高效能的电源管理解决方案，成为电子设计工程师们的理想选择。