DXT651-13
DXT651-13参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 300mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
DXT651-13手册
DXT651-13概述
DXT651-13 产品概述
产品简介
DXT651-13 是一款高性能的NPN型晶体管，采用表面贴装封装(SOT-89-3)，专为高频率和大电流的应用场合设计。这款晶体管具有优越的电气特性和出色的热稳定性，适合用于各种电子设备中，包括功率放大器、开关电源、低压电机驱动等，在广泛的工业应用和消费类电子产品中都表现优越。
主要参数
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 3A
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V
- 饱和压降 (Vce_sat): 600mV @ 300mA, 3A
- 最大集电极截止电流 (Icbo): 100nA
- 最小 DC 电流增益 (hFE): 100 @ 500mA, 2V
- 最大功率: 1W
- 跃迁频率: 200MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装: SOT-89-3 (TO-243AA)
特性与优势
高电流承载能力: DXT651-13 的集电极最大电流为3A，使其适合在高负载条件下工作，能够支持如马达驱动和高功率放大器等应用。
宽电压范围: 该晶体管能够承受高达60V的集射极电压，适合各种高压应用，同时在不同电压条件下依然保持出色的性能。
低饱和压降: 在较高电流条件下（300mA和3A），该晶体管的饱和压降最大为600mV，表明其在开关状态下的能量损耗极低，有助于提高系统总体的能效。
优良的增益特性: DXT651-13 提供了至少100的DC电流增益，能有效增强输入信号，常用于信号放大和开关电路。
高频响应: 其跃迁频率可达200MHz，适合用于高速开关及高频放大器电路，能够满足现代电子设备对高频性能日益增长的要求。
宽工作温度范围: DXT651-13的工作温度范围从-55°C到150°C，使其在极端环境中也能保持稳定性能，适合航空航天、汽车和工业控制等领域。
紧凑的封装设计: SOT-89-3封装使得其在电路板上的占用空间小，适合小型化设计的要求。
应用领域
DXT651-13 广泛应用于：
- 功率放大器: 提高信号的功率水平，常用于音频放大器和射频前端放大器。
- 开关电源: 在开关电源电路中充当开关元件，实现高效的功率转换。
- 电机驱动控制: 可用作控制电机启停及速度调节的开关器件。
- 信号放大: 在各种电子仪器中对微弱信号进行放大，确保信号强度满足后续处理的需求。
总结
DXT651-13 是一款高效能的NPN晶体管，凭借其出色的电气特性和广泛的应用适应性，在现代电子设计中具有重要意义。凭借高电流输送能力、低功耗、良好的增益特性以及宽温度适应性，它为各类高性能电子设备的开发提供了理想的解决方案。适用于是否要求紧凑设计的消费电子产品，还是需要高可靠性的工业应用，DXT651-13 都是理想的选择。