安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
DTA123YKAT146 是由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型设计,适用于多种电子电路的需求。该产品在多个参数上表现出色,尤其是在低功耗、高开关频率及良好的电流增益方面,使其成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。
电流能力: DTA123YKAT146 的最大集电极电流(Ic)为 100mA,适合于各种低至中功率的应用场合。此外,驱动能力的可接受范围,包括最大集电极截止电流为 500nA,确保其能在极低功耗情况下保持高效工作。
工作电压: 该数字晶体管的最大集射极击穿电压为 50V,能够在较高电压的环境下稳定工作。这样的特性使其适合用于电源电路及其他需要承受高电压的应用。
饱和压降: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,DTA123YKAT146 的 Vce 饱和压降最大值为 300mV(在500µA和10mA时),这意味着在工作状态下能够有效减少功耗,提升整体电路的能效。
电阻特性: 在其内部结构中,基极电阻(R1)被定义为 2.2 kΩ,而发射极电阻(R2)为 10 kΩ,这些电阻值使得该晶体管能够在给定的电压和电流下提供适当的增益,增强开关特性和频率响应。
增益特性: 根据不同的集电极电流和集射极电压,DTA123YKAT146 的直流电流增益(hFE)的最小值为 33(在10mA与5V时)。这个增益值特别适用于需要高增益的小信号应用,使其成为信号放大、开关、和其他控制电路的理想选择。
频率响应: 该晶体管能够支持高达 250MHz 的跃迁频率,对于高频应用极具吸引力。这使得 DTA123YKAT146 能够用于射频和高速数字电路中,满足现代通信和信息处理的需求。
功率处理: DTA123YKAT146 最大功率为 200mW,使其能够在多种应用环境下安全稳定地工作,适合包括信号调节、负载开关等场合。
DTA123YKAT146 非常适合于多种应用场景,包括但不限于:
DTA123YKAT146 采用 SMT3 封装,是一种适合表面贴装的设计,极大地简化了制造过程和在电路板上的组装。这种封装形式也帮助减少了所占空间,并提高了整体电子设备的集成度。
总的来说,DTA123YKAT146 是一款性能优越、应用广泛的PNP预偏置数字晶体管。凭借其高电流增益、优秀的频率响应及低功耗特性,DTA123YKAT146 为电子设计工程师提供了理想的解决方案,无论是在消费电子、通信设备,还是在工业自动化领域中,都能有效满足现代电子产品的需求。ROHM(罗姆)作为其制造商,确保了产品的高品质和可靠性。