DMN3016LFDE-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3016LFDE-7

商品编码: BM0107671998
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
U-DFN2020-6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 730mW 30V 10A 1个N沟道 UDFN2020-6-EP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.12
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.12
--
200+
¥0.86
--
1500+
¥0.748
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3016LFDE-7参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)25.1nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1415pF @ 15V
功率耗散(最大值)730mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装U-DFN2020-6(E 类)
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

DMN3016LFDE-7手册

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无数据

DMN3016LFDE-7概述

产品概述:DMN3016LFDE-7 N通道MOSFET

一、产品简介

DMN3016LFDE-7是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足电源管理、开关电路及其他高效能电子应用的需求。其额定的漏源电压为30V,能够承受高达10A的连续漏极电流,为多种应用提供了强大的电流驱动能力。该器件特别适合于低压和中等功率的应用,如DC-DC转换器、负载开关和电动机驱动。

二、主要参数

  1. 额定电气特性

    • 漏源电压(Vdss):30V,适用于低至中等电压环境。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C时达10A,为负载提供足够的驱动能力。
    • 导通电阻(Rds On):在Vgs为10V时,最大12毫欧,确保低开关损耗和高效能。
  2. 门极阈值电压

    • Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,提供灵活的驱动选择,可与多种控制电路兼容。
  3. 驱动电压

    • 最大驱动电压:支持4.5V至10V的栅极驱动电压,使得该器件能在不同电压条件下灵活应用。
  4. 栅极电荷

    • Qg(最大值):25.1nC @ 10V,保证快速开关响应,提升了开关频率及效率。
  5. 输入电容

    • Ciss(最大值):1415pF @ 15V,低输入电容有助于减少驱动功率,增强系统的效率。
  6. 功率耗散

    • 最大功率耗散:730mW(Ta),确保其在较高负载条件下的稳定性与可靠性。
  7. 工作温度范围

    • 工作温度:从-55°C到150°C,适应极端环境要求。
  8. 封装类型

    • 安装类型:表面贴装(SMD),采用U-DFN2020-6封装,批量生产和自动化贴装方便,适合广泛的电子产品设计。

三、应用场景

DMN3016LFDE-7引脚布局紧凑,适合在空间受限的应用中使用。它可应用于以下方面:

  • DC-DC转换器:在开关电源设计中提供出色的效率,帮助实现高性能的电源转换。
  • 负载开关:可用于控制各种电子设备的开关状态,允许高效的电源管理。
  • 电动机驱动:适用于直流电动机的控制,在电动机启动和停止过程中提供稳定的电流和电压。
  • 工业控制:在工业自动化设备中,为控制电路提供所需的电压和电流,确保设备的高效运行。

四、总结

总之,DMN3016LFDE-7 N通道MOSFET以其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是用于电源管理、开关电路还是各种工业应用,这款MOSFET都能提供卓越的性能,受到设计工程师的广泛欢迎。对于寻求高效、可靠和高性价比解决方案的应用领域而言,DMN3016LFDE-7无疑是一个理想的选择。