FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 12 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25.1nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1415pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 730mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6(E 类) |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN3016LFDE-7是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其设计旨在满足电源管理、开关电路及其他高效能电子应用的需求。其额定的漏源电压为30V,能够承受高达10A的连续漏极电流,为多种应用提供了强大的电流驱动能力。该器件特别适合于低压和中等功率的应用,如DC-DC转换器、负载开关和电动机驱动。
额定电气特性:
门极阈值电压:
驱动电压:
栅极电荷:
输入电容:
功率耗散:
工作温度范围:
封装类型:
DMN3016LFDE-7引脚布局紧凑,适合在空间受限的应用中使用。它可应用于以下方面:
总之,DMN3016LFDE-7 N通道MOSFET以其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计,成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。无论是用于电源管理、开关电路还是各种工业应用,这款MOSFET都能提供卓越的性能,受到设计工程师的广泛欢迎。对于寻求高效、可靠和高性价比解决方案的应用领域而言,DMN3016LFDE-7无疑是一个理想的选择。