DMP3165SVT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP3165SVT-7

商品编码: BM0107671994
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
675(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
0.853
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.853
--
200+
¥0.589
--
1500+
¥0.534
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3165SVT-7参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源

DMP3165SVT-7手册

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DMP3165SVT-7概述

DMP3165SVT-7 产品概述

制造商:Diodes Incorporated
产品类型:绝缘栅场效应管(MOSFET)
封装类型:TSOT26
包装形式:卷带(TR)
零件状态:有源
品牌:DIODES(美台)

一、产品背景

DMP3165SVT-7 是 Diodes Incorporated 公司推出的一款 N 通道绝缘栅场效应管(MOSFET),它以其卓越的性能和高效的开关特性,在各种电子应用中得到了广泛使用。MOSFET 是工程师们在功率控制和开关应用中常用的重要元件,该器件在控制电流流过电路时,能够高效地降低损耗,提升系统的整体性能。

二、主要特性

  1. 低导通电阻:DMP3165SVT-7 拥有较低的 R_DS(on),可以显著减少在导通期间的功耗,降低发热。这使得该 MOSFET 在高效电源管理应用中表现尤为出色。

  2. 高开关速度:该器件具备较快的开关特性,适合高频应用,包括 DC-DC 转换器、开关电源和其他需要快速开关操作的电路。

  3. 广泛的电压范围:DMP3165SVT-7 设定了合理的漏极源极电压(V_DS),能够适应多种工作条件,确保稳定的性能。

  4. 低门极阈值电压:器件的 V_GS(th) 参数相对较低,使其易于被低电压驱动,扩展了其在多种电源设计中的应用范围。

  5. 小巧封装:采用 TSOT26 封装,使得 DMP3165SVT-7 在空间受限的应用中非常适合,为现代电子产品的小型化设计提供了良好的解决方案。

三、应用领域

DMP3165SVT-7 的设计旨在满足多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理:在各类电源转换器和调节器中使用,以提高电源效率和稳定性。
  • 开关电源:在开关电源中作为开关元件,优化能量转换过程,减少不必要的能量损耗。
  • DC-DC 转换器:在稳压电源中转换直流电压,提升整体系统功率转换效率。
  • 电池管理系统:在电池充电和放电过程中使用,帮助增强电池使用效率和寿命。
  • 电动汽车及相关应用:对电动汽车的电源系统提供支持,包括电机控制和能量回收系统等。

四、总结

DMP3165SVT-7 以其卓越的电气性能和可靠性,成为各类电源管理和开关应用中一个非常理想的选择。其低导通电阻、高开关速度以及高适应性,使得工程师能够在设计中实现更高的能效与稳定性。随着电子设备向着更小型化和高性能的发展,DMP3165SVT-7 将继续在未来的应用中发挥重要作用。

对于设计师或工程师在选用 MOSFET 时,DMP3165SVT-7 提供了出色的性能参数,易于集成,且其低成本的特点无疑使其成为性价比极高的选择。无论是在消费电子、工业设备还是电动汽车等领域,DMP3165SVT-7 都展现出了较强的市场竞争力,必将成为更多产品设计的核心组件之一。