DTA013ZEBTL
DTA013ZEBTL参数
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，5mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 供应商器件封装 | EMT3F（SOT-416FL） |
DTA013ZEBTL手册
DTA013ZEBTL概述
DTA013ZEBTL 产品概述
一、产品简介
DTA013ZEBTL 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的数字晶体管，属于 PNP 类型，专为各种低功耗应用设计。它的额定功率为 150mW，工作电压可达到 50V，最大集电极电流限值为 100mA。这款晶体管适用于诸如开关电源、音频放大器、驱动电路等应用场景，提供了良好的性能和可靠性。
二、关键参数
晶体管类型：该产品采用 PNP 结构并预偏压设计，使其更易于在各种电路中实现快速开关和高效放大。
集电极电流（Ic）：最大值为 100mA，适合驱动中等负载的需求，使其适用于广泛的应用场景。
集射极击穿电压（Vce(max)）：具有50V的最大额定击穿电压，为电路设计提供了更高的安全裕度。
基极电阻（R1）：为1 kOhm；该电阻有助于调节基极电流，提高晶体管的工作效率。
发射极电阻（R2）：在发射极配置10 kOhm的电阻，进一步优化了电流放大特性，降低了开关损耗。
直流电流增益（hFE）：在集电极电流 5mA 和电压 10V 的条件下，最小增益为 30。这使得该晶体管在信号放大应用中表现得相当优秀。
饱和压降（Vce(sat)）：最大值为150mV（在500µA和5mA的条件下测量），此特性对于高效开关电路至关重要，因为低饱和压降可以减少功耗和提高稳定性。
集电极截止电流：最大值为500nA，保证了该产品在关断状态下，漏电流极小，有助于提升电路的整体效率。
频率：跃迁频率为250MHz，合适于高频开关应用，可以支持高速操作。
安装类型：表面贴装型（SMD），适合现代电子产品的小型化设计，提高了PCB空间利用率。
封装形式：采用 SC-89 封装（也称作 SOT-490），体积小且布局灵活，适合自动化贴装。
三、应用场景
DTA013ZEBTL 的应用非常广泛，主要包括但不限于以下几个方面：
开关电源：在 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源设计中，可以用作开关元件，提供必要的电流增益和开关速度。
音频放大器：可以用作音频信号的放大，提升音频质量，尤其是在低功耗的便携式设备中。
射频电路：凭借其250MHz的频率特性，该晶体管可在无线通信及高频率应用中提供稳定的性能。
驱动电路：用于驱动继电器、LED灯以及其他负载，能够有效地将控制信号转换为较大电流输出。
四、总结
综上所述，DTA013ZEBTL 是一款高性能的PNP数字晶体管，凭借其出色的电气特性和广泛的应用范围，适合各种现代电子设备的设计。无论是在低功耗应用还是高效开关电源设计中，该晶体管均能注入可靠的性能和卓越的稳定性，为设计工程师提供了更大的灵活性与选择空间。ROHM品牌以其卓越的品质和技术支持，确保了该产品在实际应用中的出色表现。