DMN3018SFG-7
DMN3018SFG-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 697pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN3018SFG-7手册
DMN3018SFG-7概述
产品概述：DMN3018SFG-7
基本信息
DMN3018SFG-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），采用先进的表面贴装技术PowerDI3333-8封装，专为高效能电子应用设计。这款FET的漏源电压（Vdss）为30V，最大持续漏极电流（Id）可达8.5A，适合用于各种中小功率的开关和线性调节应用。
技术规范
漏源电压（Vdss）： 该器件的耐压能力高达30V，可以轻松应对一般电子设备中的电压需求，确保电路的安全性和稳定性。
连续漏极电流（Id）： 在规定的工作环境（25°C）下，DMN3018SFG-7能够提供最大8.5A的持续电流输出，适合用于多种负载条件要求。
导通电阻（Rds(on)）： 该MOSFET在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻为21毫欧（@10A），这使得其具有极低的功率损耗，适合高效能电源转换和电机驱动电路。
栅极驱动电压（Vgs）： 该器件可以在4.5V到10V的范围内进行操作，而且在这个范围内能够实现最低的Rds(on)，从而提高开关效率。
阈值电压（Vgs(th)）： 最大值为2.1V @ 250µA，表明DMN3018SFG-7在较低的栅极电压下也能够快速开通，非常适合低电压信号控制的应用。
栅极电荷（Qg）： 最大栅极电荷为13.2nC @ 10V，这表明该器件在开关时的驱动功耗相对较低，有助于提高整体系统的能效。
输入电容（Ciss）： 在15V的电压下，输入电容最大值为697pF，这意味着在高频开关应用下能够实现良好的响应特性。
功率耗散： 最大功耗为1W（环境温度为Ta），这使得该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，支持广泛的应用。
工作温度范围： DMN3018SFG-7的工作温度范围从-55°C到150°C，确保其在极限环境条件下的可靠性和稳定性，适合于要求高温工作环境的军事、航天及工业应用。
应用场景
DMN3018SFG-7通常用于移动电源、DC-DC转换器、LED驱动、马达控制、电子开关、电源管理和其他要求高效能的电子设备。由于其高效的开关性能，它也非常适合于各种电源相关的电路设计。
封装与安装
DMN3018SFG-7采用PowerDI3333-8封装设计，优化了散热能力，有助于提高器件的整体性能。表面贴装型（SMD）设计使其更加容易在现代电子设备中实现高密度布板，符合当前小型化发展的需求。
品牌信誉
由DIODES（美台）供应，DMN3018SFG-7的设计与制造遵循严格的质量标准，确保每个产品都能达到高可靠性和高性能的要求。DIODES在半导体领域积累了丰富的经验和技术，是全球知名的元件制造商，广受业内客户的信赖。
综上所述，DMN3018SFG-7以其卓越的电气性能、广泛的应用适用性及优秀的制造信誉，成为市场上理想的N通道MOSFET选择，为电子设计提供了强大的支持。无论在工业、消费电子、汽车，还是在专业设备上，DMN3018SFG-7都能为您的项目提供出色的性能表现。