DMG4800LFG-7
DMG4800LFG-7参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.44A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 940mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN3030-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.47nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 798pF @ 10V |
DMG4800LFG-7手册
DMG4800LFG-7概述
DMG4800LFG-7 产品概述
DMG4800LFG-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），特别设计用于满足多种电子设备中的开关和放大应用需求。此器件在高频和高效率电源管理、低电压功率开关和负载驱动等场合表现出色，凭借其优良的导通电阻和较高的连续漏极电流能力，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
主要特性
高电流承载能力：DMG4800LFG-7 的连续漏极电流可达到 7.44A（在 25°C 环境温度下），使其能够轻松应对各种高功率需求电路。
低导通电阻：此MOSFET在 10V 的栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）的最大值为 17 毫欧，减少了功率损耗，并提高了整体能效，为设备提供更好的热管理能力。
宽工作温度范围：该器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合多种苛刻的工作环境，确保其在极限条件下仍能稳定运行。
优良的开关性能：最大栅极电荷（Qg）为 9.47nC（在 5V 的 Vgs 下），使得开关速度更快，降低开启和关闭的延迟，对于高频应用至关重要。
小型化封装：DMG4800LFG-7 的封装为 U-DFN3030-8，小型化的设计减少了电路板空间的占用，适应现代电子设备对体积和重量的严格要求。
应用领域
由于其优异的电气特性及小型表面贴装设计，DMG4800LFG-7 被广泛应用于以下领域：
电源管理：在 DC-DC 转换器和电源适配器中，作为开关或整流器，提供高效率能量转换。
电机驱动：可用于直流电机的驱动电路，提供可靠的控制与驱动能力。
汽车电子：在汽车电源控制及其它多种汽车电子设备中，提供稳定的性能。
工业控制系统：在工业自动化设备中，作为功率开关执行器，进行高效能量管理。
可靠性与规格
DMG4800LFG-7 采用高可靠性的制造工艺，确保器件能够在高温和高负载环境下正常工作。其最大功率耗散为 940mW，可以有效应对复杂电路的热管理需求。漏源电压 (Vdss) 为 30V，使得此 MOSFET 非常适合在低压电路中使用。
在选择此器件时，设计工程师应确保栅源电压 (Vgs) 不超过 ±25V，以保护器件免受损坏。在使用中，务必参考器件的具体技术文档，以便在设计中获得最佳的性能表现。
总结
DMG4800LFG-7 是一款性能优越、适应性强的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力及小型表面贴装特性，非常适合各种高频和高效能电源管理应用。无论是消费电子、工业自动化还是汽车电子，该器件都能够提供可靠的性能和高效的能量管理，助力设计工程师实现卓越的产品设计目标。