注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP1012UFDF-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 720mW 12V 20A；12.6A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存 :
2576(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.997按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.997
--
200+
￥0.767
--
1500+
￥0.667
--
3000+
￥0.58
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP1012UFDF-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.6A（Ta），20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1344pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 720mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（F 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMP1012UFDF-7手册
无数据
DMP1012UFDF-7概述
DMP1012UFDF-7 产品概述
基本信息
DMP1012UFDF-7 是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计专注于能效和高电流承载能力，特别适用于各种低压应用场景。该器件由知名品牌DIODES（美台）制造，采用紧凑的U-DFN2020-6封装，适合表面贴装技术（SMD），为现代电子设计提供了灵活性和高效性。
主要规格
DMP1012UFDF-7具备以下主要参数：
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达12V，使其适合大多数小型电源管理和开关应用。
- 连续漏极电流 (Id): 可在25°C环境下提供最大12.6A的连续电流，且在冷却条件下可承受高达20A的漏极电流，满足高负载要求。
- 导通电阻（Rds On）: 在5A、4.5V 的驱动电压下，最大导通电阻为15毫欧，这确保了在设备运行时的高效率和低功耗。
- 栅极电压（Vgs）: 此器件支持1.8V至4.5V的多种驱动电压，适合多种逻辑电平控制，实现更灵活的应用。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大900mV @ 250µA，提供准确的开关控制。
- 输入电容（Ciss）: 在10V的条件下，输入电容为1344pF，优化了开关速度和驱动要求。
效率与功率管理
DMP1012UFDF-7的功率耗散能力高达720mW（在Ta=25°C的条件下），使其在很多功率管理和开关控制应用中表现出色。在提供高漏极电流的同时，其低导通电阻有效地减少了通电损耗，从而提高了整体系统效率。
工作温度范围
该MOSFET的工作温度范围广泛，-55°C至150°C，允许其在极端环境下稳定工作，适合各种苛刻的工业和汽车应用。
封装与设计
DMP1012UFDF-7采用的U-DFN2020-6封装具备6个裸露焊盘，紧凑且具有良好的散热性能，适合高密度电路板布局，特别是在空间受限的应用中，如智能手机、便携式设备和消费电子产品。
应用场景
DMP1012UFDF-7非常适合于以下几种典型应用：
- 电源管理: 其特性使其成为DC-DC转换器、线性电源和开关稳压器中的理想选择。
- 电机驱动: 由于其高电流和低导通电阻，适合用于直流电机的驱动场合。
- 负载切换: 其高效能确保在各种负载切换场合中表现优异，如LED照明和电池管理系统。
- 消费电子: 广泛应用于平板电脑、手机等便携式电子设备中，提供高效的电源转换和管理。
总结
DMP1012UFDF-7是一款极具竞争力的P沟道MOSFET，凭借其优异的电性能、强大的电流处理能力，以及适应广泛环境的设计，为现代电子系统的能效管理提供了卓越解决方案。无论是在智能消费电子、工业设备，还是汽车电子应用中，DMP1012UFDF-7都能够满足高性能的需求，帮助设计师打造更高效的电子设计。