DMP2100UFU-7

DMP2100UFU-7 产品概述

DMP2100UFU-7 是一款来自DIODES（美台）的高性能MOSFET阵列，专为各种电子应用设计。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，具体型号为 UDFN20306，适合高密度电子电路的集成需求。作为一款2个P沟道的MOSFET器件，DMP2100UFU-7 的最大漏源电压（Vdss）为20V，能够以高达5.7A的连续漏极电流（Id）进行稳定工作。

核心参数

• 安装类型：表面贴装型 (SMD)
• 漏源电压 (Vdss)：20V
• 连续漏极电流 (Id)：5.7A
• 最大导通电阻 (Rds(on))：38mΩ @ 3.5A，10V，25°C
• 输入电容 (Ciss)：906pF @ 10V
• 最大功率：900mW
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C
• 栅极电荷 (Qg)：21.4nC @ 10V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：1.4V @ 250µA

功能与应用

DMP2100UFU-7作为一款标准的P沟道MOSFET，广泛应用于多种电子电路中，如电源管理、LED驱动、负载开关控制和信号切换等场合。其高电流承载能力以及低导通电阻特性使其适合高效能应用，能够有效降低能量损失，提高系统的整体效率。此外，其广泛的工作温度范围也使得DMP2100UFU-7能够在恶劣环境下稳定工作，确保终端产品的可靠性。

结构特性

DMP2100UFU-7采用的UDFN20306封装，具有小体积和良好的散热性能。在结构上，双管阵列设计不仅提高了元件的集成度，还优化了PCB布局，降低了制造工艺的复杂性。

在电气特性方面，DMP2100UFU-7的低导通电阻（Rds(on)）为38毫欧，使其在运行期间的发热量保持在较低水平。这样可以减小散热需求，为更紧凑的设计方案提供可能。对于需要高频率操作以及快速切换的应用场合，其输入电容（Ciss）为906pF且栅极电荷（Qg）为21.4nC，表明该器件具备良好的快速响应特性。

可靠性与安全性

产品的工作温度范围为-55°C到150°C，显示出其出色的环境适应能力和高可靠性。这使得DMP2100UFU-7能够在极端的温度条件下，仍然保持稳定的电性能。对于电气和热管理设计，公司提供了详尽的应用说明和技术支持，助力工程师在实际应用中更好地实现设计目标。

总结

总的来说，DMP2100UFU-7是一款具有优良性能、适应于高密度应用场合的P沟道MOSFET阵列，凭借其低导通电阻、高电流处理能力以及广泛的工作温度范围，为现代电子设备的设计提供了强有力的支持。无论在只有有限空间的消费电子产品中，还是在需要高可靠性的工业应用中，DMP2100UFU-7均展现出其广泛的适用性和市场价值。对于设计工程师以及电子产品开发者而言，这款MOSFET阵列的引入无疑将为其项目带来更多的可能性和更强的竞争力。