DXT751Q-13 产品实物图片
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DXT751Q-13

商品编码: BM0107671900
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 1W 60V 3A PNP SOT-89-3
库存 :
1760(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.2
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.2
--
100+
¥0.919
--
1250+
¥0.779
--
2500+
¥0.66
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DXT751Q-13参数

制造商Diodes Incorporated系列Automotive, AEC-Q101
包装卷带(TR)零件状态有源
晶体管类型PNP不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)600mV @ 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,2V
频率 - 跃迁100MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-243AA
供应商器件封装SOT-89-3电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)60V功率 - 最大值1W

DXT751Q-13手册

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DXT751Q-13概述

DXT751Q-13 产品概述

1. 产品简介

DXT751Q-13 是一款由 Diodes Incorporated 制造的高性能 PNP 晶体管,专为汽车电子应用而设计,符合 AEC-Q101 限制标准。该产品适用于需要高集电极电流和较低饱和压降的电路,具有额定电流高达 3A、最大集射极击穿电压为 60V 的特点。其主要封装为 SOT-89-3(TO-243AA),采用卷带(TR)包装,适合表面贴装型(SMD)应用,便于自动化生产。

2. 关键参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 3A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 60V
  • 最大功率耗散: 1W
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 600mV @ 300mA, 3A
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • DC 电流增益 (hFE): 最小值为 100 @ 500mA, 2V
  • 频率 - 跃迁: 100MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装类型: SOT-89-3
  • 零件状态: 有源

3. 应用领域

DXT751Q-13 设计用于汽车及其它高温环境的电子设备中,适合以下应用场景:

  • 汽车电子控制单元: 作为开关或放大器,能有效控制功率及信号。
  • 电源管理电路: 适用于调节电压和电流的场合,确保系统稳定运行。
  • 信号放大器: 在不同频段(高达 100MHz)的信号处理中,能够有效增强信号强度。
  • 开关电源设计: 可用于高效 DC-DC 转换器,提供对负载要求的动态响应。

4. 性能特点

  • 高功率处理能力: DXT751Q-13 在 1W 的功率下表现出色,适合高功率处理应用,为设计师提供了更多灵活性。
  • 低饱和压降: 600mV 的饱和压降(在 300mA 时)有助于提高效率,减少热量产生,延长设备使用寿命。
  • 高增益特性: 最小增益 100 的特性确保了在各种工作条件下的可靠性,这对于厚重负载的应用尤为重要。
  • 扩展的工作温度范围: 该元件能够在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内稳定工作,确保在苛刻环境中依然可靠。

5. 设计考虑

在设计应用电路时,需要关注以下几个方面:

  • 散热设计: 虽然 DXT751Q-13 支持高达 1W 的功率,但在高负载情况下应确保合理的散热方案,以防止过热。
  • 驱动条件: 为确保晶体管在最佳性能区间工作,需要根据应用需求,合理配置基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)。
  • 电源管理: 在信号放大和转换应用中,确保适当的电源管理电路以提高系统整体效率和稳定性。

6. 结论

DXT751Q-13 是一款高效能、高可靠性的 PNP 晶体管,特别适合于对性能要求严格的汽车电子领域。其广泛的应用范围和优秀的电气特性,使其成为工程师在设计各种电路时理想的选择,能够满足不同场合下的需求。无论是在信号放大、功率管理还是自动化控制方面,DXT751Q-13 都展示了其卓越的工具性和技术价值。