FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 60V,20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 390mA(Ta),2.9A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4Ohm @ 500mA,10V,72mOhm @ 3.5A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA,1.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.4pC,7.3nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 41pF,443pF @ 25V,16V |
功率 - 最大值 | 580mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | U-DFN2020-6(B 类) |
DMC67D8UFDBQ-7 是由DIODES(美台)推出的一款高性能的场效应管(MOSFET),它结合了N型和P型沟道的互补结构,设计用于实现高效的开关功能及电源管理。该产品特别适合于使用在功率转换、马达控制及其他高效能电路中,提供了一种简洁而有效的解决方案,以满足现代电子设计的需求。
DMC67D8UFDBQ-7 的主要参数包括最大漏源电压(Vdss)为60V和20V,提供了一个宽广的工作电压范围。这使得它在不同的应用场合中都能够展现出良好的性能表现。该器件在25°C时可持续输出390mA(N沟道)和2.9A(P沟道),保证在常温下稳定工作。此外,该组件的最大功率输出可达580mW,在适当的散热条件下,可有效降低热量积聚,提高系统的可靠性。
DMC67D8UFDBQ-7在不同电流(Id)、栅源电压(Vgs)下的导通电阻表现出色,最大值为4Ohm(@500mA,10V)以及72mOhm(@3.5A,4.5V),显示出该器件在高电流环境下的低损耗特性。同时,其阈值电压(Vgs(th))的最大值为2.5V(@250µA)和1.25V(@250µA),这确保了器件能在较低电压下快速开启,提高了系统响应速度与效率。
在不同Vgs条件下,DMC67D8UFDBQ-7的栅极电荷(Qg)最大值为0.4pC及7.3nC(@4.5V),这表明在驱动器中对栅极的驱动电流需求较低,从而优化了开关速度和效率。此外,该器件的输入电容(Ciss)在不同Vds下的最大值为41pF,以及在25V和16V下的443pF,提供了良好的输入阻抗特性,有助于减少在高速开关过程中的信号干扰。
DMC67D8UFDBQ-7的工作温度范围为-55°C至150°C,意味着该产品可以在极端温度条件下工作而不影响其性能,适合多种工业和民用应用。采用U-DFN2020-6封装,表面贴装型设计,使得器件具备良好的散热性能和空间利用率。
DMC67D8UFDBQ-7非常适合用于:
DMC67D8UFDBQ-7凭借其出色的电气特性和高耐温性能,成为了一种在功率管理与电源转换领域中极具吸引力的解决方案。随着电子产品对效率和性能的要求不断提高,这款场效应管的市场潜力和应用前景都非常广阔。采用高质量的制造工艺和严格的质量控制措施,DMC67D8UFDBQ-7将为设计工程师在其项目实现中提供强有力的支持。